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1.
10年前,1台缝纫机、一台铰骨机,再加4个小裁缝,就是“一加一”的全部;10年后的今天,“一加一”已是一家融服装、饮食、电子、贸易以及百货等22家企业为一体的集团公司,属下员工1600多人。陈展鸿,当年的小裁缝之一,如今的“一加一实业有限公司”的董事长兼总经理,也正是在这短短的10年时间 相似文献
2.
包军卫 《单片机与嵌入式系统应用》2009,(3):51-52,55
描述一个基于单片机的智能型电子清纱器的系统结构和实现方案。系统采用RS-485总线技术,利用单片机改造传统的模拟电子清纱器,采用软硬件结合的抗干扰措施,实现了实时数据采集,数据存储、数据打印等高级功能。文中阐述了系统各组成部分的功能和实现方案,重点介绍了主、从机之间的通信规约以及通信软件模块的编程思路。 相似文献
3.
4.
5.
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷. 相似文献
6.
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明.低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。 相似文献
7.
8.
光电耦合器电流传输比的噪声表征 总被引:5,自引:0,他引:5
光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性. 相似文献
9.
10.
用于空间系统的电子元器件和电路性能受辐照累积剂量的严重影响。本文针对一种Buck型小功率DC/DC模块电源进行了电离辐照实验,研究结果表明:随着辐照剂量的增加,该类器件输出电压增大,输入电流增大和整体转换效率降低,且加偏辐照DC/DC模块电源更早出现上述参数退化,其低频噪声参量呈现出与电参数相似但幅度更大的退化趋势。进一步的研究结果表明,其内部的功率MOSFET辐照引起的阈值电压漂移是导致该类电源辐照后输出电压增加的主要原因。本文研究结果可为该类器件的抗辐照性能加固提供实验基础。 相似文献