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占长青 《仪表技术与传感器》1998,(4):11-12,22
本文介绍我们通过掩膜图形的设计,在(100)单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作 错综合复杂的正八边形单硅膜的方法。 相似文献
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