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本文对轧机翻转装置进行了运动仿真分析,应用NXUG8.0刚体动力学分析方法,校验了轧机翻转装置在某一压力下是否可以将Ф650轧机拉回或推起,其结构在运动过程中是否发生干涉或存在死点、是否安全可靠。 相似文献
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分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1~3)等挥发性物质实现的。 相似文献
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背景:GHTZ6/6内壳体是超临界给水泵研究制造国产化芯包的重要零件,也是超临界给水泵最重要的零件。它也是加工难度最大,精度要求最高,泵的核心零件。内壳体加工得好也就说明芯包国产化能够实现。 相似文献
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采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响。本次模拟选择的入射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV。模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积率有密切的关系。沉积的Si和F原子在SiC表面形成一层SixFy薄膜。随入射能量的增加,薄膜厚度先增加后减小,薄膜中Si-Si键密度增大。构成薄膜的主要成分SiFx(x=1~4)中主要是SiF和SiF2,随入射能量的增加,薄膜成分由SiF2向SiF转变。 相似文献
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采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023。各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2。F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于5°和30°时,SixFyCz是主要的含C产物;而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物。在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物;在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。 相似文献
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使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。 相似文献
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