低氯根碳酸铈的工艺研究

本文对低氯根碳酸铈的沉淀工艺进行系统研究,确定制备低氯根碳酸铈最佳工艺技术条件：料液浓度30g／1;碳酸氢铵溶液浓度150＋10g／I;沉淀方式：共沉;沉淀温度40-50;沉淀时间120分钟;用去离子水洗涤5次,真空过滤。     

小粒度氧化钇的工艺研究

本文对小粒度氧化钇的沉淀工艺进行系统研究，确定制备小粒度氧化钇最佳工艺技术条件：料液浓度100＋10g／1；草酸铵溶液浓度100＋10g／l；沉淀方式：反沉；沉淀温度50—60℃；沉淀时间：60分钟；陈化30分钟；去离子水洗涤3次，真空过滤；煅烧温度：850＇E、恒温时间：3h；样品过100目筛后分析粒度。