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研究了再结晶退火前的加工率、再结晶退火工艺对0.0045/0.005 mm超薄铝箔坯料性能及晶粒尺寸的影响。结果表明,随着再结晶退火前加工率的增加及再结晶退火保温时间的延长,坯料的抗拉强度差异小,但伸长率≥40%的比例增加。当加工率达82.8%,再结晶退火保温8 h时,坯料伸长率≥40%的比例达90%,其晶粒大小均匀一致。采用该坯料生产的0.0045/0.005 mm超薄铝箔针孔最少,成品率最高。因此,超薄铝箔坯料的最佳生产工艺为:将6.0 mm厚度铸轧坯料轧至3.5 mm进行均匀化退火,然后经3道次轧至0.6 mm,最后进行360℃保温8 h的再结晶退火。 相似文献
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提出了应用0. 13 μm SiGe BiCMOS 工艺设计的全集成X 和Ka 波段T/ R 多功能芯片。包括5 位数控
移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小
信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功
率大等优点。其中X 波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 dB、22 dB,发射输出P(-1dB) 达到28 dBm;Ka 波段收发
芯片接收、发射增益分别达到17 dB、14 dB,发射输出P(-1 dB)达到20. 5 dBm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片
指标均达到国际先进水平,为X 和Ka 波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。 相似文献
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唐海林 《太赫兹科学与电子信息学报》2013,11(6):847-852
太赫兹肖特基二极管是太赫兹应用领域中非常重要的一种器件,它可以实现高频信号的混频和倍频,研制发展太赫兹肖特基二极管对于太赫兹技术有重要意义。本文首先介绍了太赫兹肖特基二极管的种类及性能表征,接着介绍国内外主要研究机构在太赫兹肖特基二极管方面的研制成果和进展,最后总结出研制太赫兹肖特基二极管的关键技术和发展方向。 相似文献
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"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构.针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化. 相似文献
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本文提出一种基于容差分析的微机械陀螺稳健设计方法,开发了相应的稳健优化设计流程.该方法采用估算目标函数和约束的名义值与扰动值来定义系统稳健性,同时将最坏情况容差作为设计参数的扰动.在集成了器件建模和优化工具的设计环境中开发了相应的自动化设计流程,可用于微机械陀螺的结构设计.优化算法使用遗传算法.讨论了不同的稳健设计方法,结果表明本文的方法能以合适的计算成本获得高质量的结果.系统敏感性分析表明,稳健优化设计结果对误差是不敏感的.采用蒙特卡洛分析检验稳健设计的产出率,结果表明有88%的试验样本是可接受的,而对于确定性优化,仅有50%的可接受样本.微结构已经采用键合-深反应离子刻蚀工艺加工出来. 相似文献
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