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目前综合器的优化功能越来越强,大部分设计都可以被优化。设计工程师也越来越依赖于综合工具,然而综合器的优化结果主要还是依靠设计工程师的代码风格。设计风格对综合结果的影响可以用一句话概括:“好的代码设计风格会使综合器事半功倍,达到最优的综合结果;不好的代码设计风格会使综合器南辕北辙,产生错误的综合结果。”有时候问题都源于其代码风格不尽合理,而并不在于综合器。 相似文献
3.
随机设计越来越复杂,受约束的随机化测试方法已成为验证的发展趋势。本文以数据流交叉模块的验证为例,介绍如何基于UVM验证方法学构建受约束的随机化测试平台,其主要内容包括:UVM验证平台的建立、受约束的随机的实现、功能覆盖率的实现、自动检查结构等方面。 相似文献
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针对某炮控系统存在较强的非线性和不确定性特征,提出了基于补偿滑模的自组织神经网络控制策略。引入了补偿滑模面设计方法,构成了自组织神经网络控制器和辅助补偿器。自组织神经网络控制器由Hermite多项式、变结构神经网络和神经元参数自学习算法构成,其减小了计算复杂度,提高了自适应能力;梯度下降法对神经网络的参数进行自学习,提高了系统的收敛速度;辅助补偿器的引入进一步减小了系统稳态误差,满足了该炮控系统的基本指标要求,保证了系统在Lyapunov意义下的稳定性和鲁棒性。半实物仿真试验表明:该控制策略有效地提高了系统的控制精确度和鲁棒性,减小了外界干扰对系统性能的影响。 相似文献
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厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究 总被引:1,自引:0,他引:1
厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确,且速度快。数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。 相似文献
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厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因。对厚度24μm的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验。当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大。因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量。 相似文献