光电隔离SPI接口冲击分压器

冲击电压试验是电气设备尤其是电力设备必不可少的绝缘试验项目,冲击电压的测量方法有很多,冲击分压器是其中比较常见的一种。冲击分压器是否可靠关系到电力系统的安全与正常工作。同时,冲击分压器也在电机定子电气性能检验中有所应用,用于电机定子匝间绝缘项目的冲击电压峰值和波前时间的测量。本设计根据需要选定符合标准且具有经济性的数字电位器和光耦元件,设计出具有光电隔离SPI接口的冲击分压器。     

基于证据理论离散滤波的机器人定位跟踪

针对机器人定位跟踪过程中精度指标不理想的问题,提出一种基于证据理论离散滤波算法的机器人定位跟踪方法.首先,针对该类型机器人因为功耗降低的需要,驱动装置的降低导致系统产生典型非线性的问题,采用证据理论算法对机器人的动力学特征构建模型;其次,基于似然估计算法对机器人动力学特征模型进行代价函数的设计,获得离散滤波条件下的机器...     

一类非齐次高阶非线性系统的自适应控制设计

本文讨论了一类具有未知参数的非齐次高阶非线性系统的全局强稳定自适应控制器的设计问题,定义了一个时变未知参数和一列非齐次辅助函数,通过增加辅助函数的积分项的方法并结合自适应控制技术,放宽了目前已有结论中对非线性项的限制,给出了使系统全局强稳定的连续自适应控制器存在的一个充分条件,给出了它的自适应状态反馈控制器的递推设计方法,并通过一个例子验证了文章的理论结果.     

一种基于VDMOS技术的浅沟槽平面栅MOSFET新结构

本文基于VDMOS技术提出了一种浅沟槽平面栅MOSFET（TPMOS）新结构,其中浅沟槽位于VDMOS多晶硅平面栅下方n-漂移区的两元胞中央。与传统的VDMOS结构相比,新结构不仅可以显著改善器件的导通电阻(RON)和击穿电压(VBR),减小它们对栅极长度的依赖,而且除浅沟槽外,制作工艺与VDMOS完全兼容。采用TPMOS结构可为器件设计和制造提供更大的自由度。     

功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析

简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理,从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响.采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性,给出了这些参数随温度变化的曲线.最后,分析了温度对功率MOSFET安全工作区的影响,为功率MOSFET的设计和使用提供了参考.     

一类非齐次高阶非线性系统的连续反馈控制设计

研究了一类非齐次的高阶非线性系统的连续状态反馈控制设计问题. 通过定义一列适当的辅助函数,放宽了对非线性项的约束条件. 利用传统的积分反推技术,并增加一个积分项的方法,得到了这类系统的稳定性,给出了控制器的设计方法,并通过一个例子验证了本文的理论结果.     

混合碳政策下制造商低碳转型的技术选择策略

在碳交易和碳税并行的混合碳政策下,考虑由一个制造商和一个零售商组成的供应链系统,通过Stackelberg博弈方法构建供应链系统分散决策模型,确定制造商和零售商的最优减排与定价决策,并基于此分析制造商低碳转型过程中的技术选择策略,探讨低碳产品最优减排率与碳配额和碳税之间的关系,为政府制订政策提供理论依据.研究表明:制造...     

A new shallow trench and planar gate MOSFET structure based on VDMOS technology

This paper proposes a new shallow trench and planar gate MOSFET(TPMOS) structure based on VDMOS technology,in which the shallow trench is located at the center of the n~- drift region between the cells under a planar polysilicon gate.Compared with the conventional VDMOS,the proposed TPMOS device not only improves obviously the trade-off relation between on-resistance and breakdown voltage,and reduces the dependence of on-resistance and breakdown voltage on gate length,but also the manufacture process is compatible with that of the VDMOS without a shallow trench,thus the proposed TPMOS can offer more freedom in device design and fabrication.     

模拟消化中小扁豆活性物质释放和抗氧化能力变化

为了解小扁豆中活性物质在消化过程的变化规律,以白、红、黑、绿4种颜色小扁豆为原料,采用体外模拟消化模型研究口腔、胃和肠消化过程中多酚、黄酮和花青素等活性物质释放和抗氧化能力变化。结果表明：4种颜色小扁豆多酚在消化过程中逐渐释放,肠消化阶段释放量最大,模拟消化结束时,白、红、黑、绿小扁豆多酚释放量分别为1.76、1.91、1.94和2.56 mg GAE/g;黄酮和花青素在胃消化阶段释放量最大,模拟消化结束时,黄酮释放量分别为0.82、1.75、4.15和3.92 mg R/g,花青素释放量分别为0.06、0.15、0.19和0.20 mg/g;黑、绿小扁豆活性物质释放量高于红、白小扁豆。模拟消化过程中,不同消化阶段小扁豆消化产物抗氧化能力具有显著差异（P<0.05）,胃消化阶段4种颜色小扁豆清除DPPH·能力较强,进入肠消化后,DPPH·清除能力显著减弱（P<0.05）,绿色小扁豆消化产物对DPPH·清除能力和铁离子还原力最强。相关性分析表明黄酮释放量和小扁豆抗氧化能力相关性更强,黄酮是小扁豆的主要抗氧化物质。