SRAM静态低功耗设计

在标准的Fabless CMOS工艺线上,由于没有对静态存储器生产进行过专门的工艺优化,在有大规模SRAM嵌入设计的ASIC与SoC电路中,静态电流较大。文章讨论了静态存储器单元静态漏电模式,采用了国内某标准CMOS工艺线提供的0.25μm SPICE模型,使用HSPICE软件对六管静态存储器单元的静态漏电进行了模拟,介绍了一种高可靠、基于0．25μm标准CMOS工艺的低功耗静态存储器设计的解决方案,适用于要求低待机功耗的标准静态存储器、嵌入式静态存储器电路设计。     

具有低失调电压的新型灵敏放大器设计

由于器件尺寸越来越小,器件之间的失配越来越严重,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况,根据灵敏放大器的工作原理,提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器,通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度,从而降低失调电压,减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示,在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下,相比于传统的灵敏放大器,该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%,SRAM的读关键路径延迟降低了25%。     

高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0．8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA／μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN＋埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。     

磷离子注入对部分耗尽SOI MOS总剂量背栅效应的影响

本文研究了背栅磷离子注入加固技术对部分耗尽绝缘体上硅（silicon-on-insulator, SOI）MOS器件抗总剂量辐射性能提升的机理。认为可以对背栅沟道处进行磷离子注入,改变界面处的离子浓度分布,通过引入电子陷阱,抵消背栅界面陷阱俘获正电荷,从而改善背栅效应,提高器件的抗辐射性能。通过用高浓度磷离子对部分耗尽SOI NMOS器件背栅进行离子注入,大大减小了器件的背栅效应,实验器件的抗辐射能力能够达到1M rad（Si）。     

嵌入式FlashMemory Cell技术

本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构，介绍了一种适用于嵌入的单元结构，存储器阵列设计、可靠性设计技术。     

嵌入式Flash Memory Cell技术

本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术。     

体外模拟胃肠消化过程中黑果腺肋花楸果提取物活性成分及其抗氧化作用变化规律

通过体外模拟,探究黑果腺肋花楸果提取物胃肠消化过程中的活性成分及抗氧化作用变化规律。采用紫外分光光度法测定黑果腺肋花楸果提取物口腔消化液、胃消化液、肠消化液、肠透析液以及黑果腺肋花楸果提取物溶液5 种样品中总黄酮、多酚、花青素、原花青素含量变化;同时,检测5 种样品对羟基自由基、DPPH 自由基、ABTS+自由基、超氧阴离子自由基的清除能力。结果表明：黑果腺肋花楸果提取物中原花青素含量最高,为（333.86±3.46）mg/g,其次是多酚,花青素含量最少。在模拟消化过程中活性成分变化趋势存在差异,花青素含量在口腔消化液中最多,肠消化液次之,胃消化液和肠透析液中较少;原花青素在口腔消化液中最多,胃消化液中减少,肠消化液和肠透析液中消失。多酚在肠消化液中含量最高,口腔和胃消化液中差距不大,肠透析液中明显减少。模拟消化液清除羟基自由基、DPPH 自由基的变化趋势相似,其中口腔消化液抗氧化能力最强（清除羟基自由基IC50值为71 μL,强于维生素C,清除DPPH 自由基IC50 值为13.7 μL,弱于维生素C）,肠消化液抗氧化能力最弱,而清除ABTS+自由基能力的结果略有不同,清除超氧阴离子自由基的能力有待进一步研究。通过研究结果可以看出黑果腺肋花楸果提取物消化产物具有潜在的抗氧化活性,并与相关活性成分含量具有一定相关性。