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罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。 相似文献
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近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描(TOF-PET)等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快(衰减时间小于1ns)闪烁体受到广泛关注。文章综述了ZnO基单晶闪烁体的发展。有文献报道,Ga3+、In3+、Sc3+和Fe3+等几种不同的n型掺杂ZnO单晶体已经被广泛用作极紫外、X-射线、α粒子等重离子的检测和成像。随着晶体生长技术的发展,提高了ZnO基闪烁体的性能,进而拓宽了其应用范围。上述ZnO材料促进了新一类超快半导体闪烁体的兴起。因此,ZnO基闪烁体的下一步的工作,主要是通过优化浓度和掺杂剂的种类,以提高光输出。 相似文献
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