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1.
双向高频环节逆变器具有双向功率流、高频电气隔离、拓扑简洁、功率变换级数少等优点,特别适用于要求双向功率流的逆变场合。本文深入研究了一种新型的双向高频环节逆变器的电路结构、拓扑与移相控制策略,对逆变器稳态原理进行了分析,并给出了关键电路参数的设计准则。原理试验结果证实了理论分析的正确性。 相似文献
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1.3~1.6μm是在光通信等方面有重要应用的激光波段,具有重要的研究和应用价值。被动调Q技术是产生较高能量脉冲激光的简单而有效的方法,成本低廉,结构简单,容易实现。掺Co^2 的被动调Q晶体(如:Co^2 :YAG,Co^2 :Y3Sc2Ga3O12,Co^2 :LaMgAl11O19,Co^2 :MgAl2O4,Co^2 :LiGa5O8,Co^2 :ZnSe等)可以对1.3~1.6μm激光实现被动调Q激光输出,调Q的波长范围宽,材料的机械性能优良。 相似文献
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随着光电子技术及其应用的不断发展,自倍频激光器越来越受到人们的火注[1.2].自倍频激光器是一种特殊的激光器,它利用基质的非线性效应把激活离子受激辐射产生的基频光进行频率转换,使激光器既查以输出基频光也可以输出倍频光.与分立的倍频激光器相比,自倍频激光器简化了激光器设汁,提高了激光器的实用效益. 相似文献
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采用提拉法生长了尺寸为35mm×35mm×50mm的透明Ba2TiSi2O8晶体。XRD结果表明所得晶体的物相为Ba2TiSi2O8单晶,浮力法测量晶体的密度为4.465g/cm3。利用静电容法测量Ba2TiSi2O8晶体的相对介电常数为ε11/ε0=16.35和ε33/ε0=12.38。干涉法测量的压电常数为d15=17.55 pC/N、d31=-1.49 pC/N,谐振法测量的机电耦合系数为k33=10%,弹性常数sE11=7.5×10-12、sE33=13.3×10-12、sE44=33.6×10-12m2/N和sE66=12.8×10-12m2/N。并测量了Ba2TiSi2O8晶体的电阻率为pa=9.43×1013.cm、pc=5.84×1013 cm。通过测量发现,Ba2TiSi2O8晶体压电常数远大于石英的,且具有大的机电耦合系数和较大的电阻率,是一种优良的压电晶体材料。 相似文献