测量Gunn器件热阻的新方法

本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系,证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gunn器件的热阻,发现在工作点测得的热阻要比在低场下测得的热阻大得多。这一结果值得在器件设计和可靠性研究中加以利用。     

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻

本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形,而可以得到整个有源区内较为平坦的电场分布,利用这一模型用小讯号理论计算了它的负电导,可以在很宽的频段内获得负阻,实验上也观察到一些结果,利用这一结构可以制作超宽带负阻器件.     

平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.     

DF4B型机车制动缸行程和闸瓦间隙超差的原因分析及预防措施

通过对DF4B型机车制动缸行程和闸瓦间隙超差故障的分析,找出了故障产生的两个主要原因:闸瓦托衬套、螺杆衬套、螺杆销磨损导致的累计间隙超差;竖杆与制动座连接的销套间隙超差。并针对上述原因提出了相应的预防措施。     

一种GaAs快速光电导开关

本文报道了一种采用掺 Cr的 GaAs高阻材料,交叉指状图形,Ni/Ge/Au金属化,浅腐蚀坑改善光电耦合效率的快速、灵敏光电导开关.在染料激光脉冲激励下,获得短于200ps的瞬态响应.根据分析,这种光电导开关的瞬态响应应远小于200 ps,适用于信号处理.     

GaAs霍尔元件欧姆接触工艺的探讨

本文介绍了GaAs霍尔元件采用Au-Ge-Ni合金直接蒸镀方式,并于450℃合金化后立即冷却而形成欧姆接触的机理,对冷却速度影响欧姆接触的原因提出了自己的看法。     

Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.     

家制凉菜两例

蒜泥泡菜肉卷原料：猪二刀肉500克 泡红辣椒100克 泡萝卜1个 大蒜仁100克 生姜10克 大葱20克 葱花25克 花椒5克 精盐、酱油、味精、料酒、白糖、红油、花椒面、熟芝麻各适量制法：1猪肉洗净，放入清水锅中，加入生姜拍破、大葱挽结、料酒、花椒等，上火煮至猪肉八成熟时，离火浸泡至汤冷。2捞出猪肉，切成长约10厘米、宽约5厘米、厚约03厘米的片；泡萝卜切成丝；泡红辣椒、大蒜仁分别剁成茸，纳碗，加入精盐、酱油、味精、白糖、红油、花椒面等调成味汁。3将肉片铺平，卷入泡萝卜丝，逐片包好后，摆入盘中，淋上调好的味汁…     

外延GaAs平面Hall器件

本文讨论了用GaAs液相和汽相材料制备的Hall器件.在内阻为1kΩ时得到的灵敏度为30mV/mA·kG,温度系数为0.01％/℃,并可工作在-50-+250℃的温区.还讨论了掺Cr高阻衬底、外延层质量及制作工艺对器件质量的影响.     

基于DEA的绿色制造评价体系研究

绿色制造是制造业实现可持续发展的必由之路,绿色制造评价是绿色制造实施的有力保障。阐述了绿色制造评价体系构建的必要性,构建了绿色制造评价指标体系及评价系统,并使用数据包络分析法(DEA)对我国9个铜冶炼公司进行了实例分析,以为企业改善运营模式提供参考