首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   0篇
综合类   2篇
机械仪表   1篇
轻工业   1篇
一般工业技术   2篇
自动化技术   1篇
  2015年   2篇
  2014年   1篇
  2011年   1篇
  2007年   1篇
  2003年   1篇
  2001年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 140 毫秒
1
1.
Al-Si铸造合金凝固过程计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用有限差分方法模拟计算A1-7%Si铸造合金凝固过程的宏观传输现象(包括温度场、浓度场),所得到温度场模拟结果通过SRIFCAST软件在相同的初始条件和边界条件下从不同位置提取温度数据得到的结果进行比较,模拟结果与实验结果基本一致.  相似文献   
2.
关世杰  曲彬  白静 《商品与质量》2011,(S5):226-227
高校院二级资料室(院系资料室)对学校的教学、科研及学科建设起到与图书馆相互协作、优势互补的作用。本文对提高二级资料室的管理、服务水平提出了一些看法。  相似文献   
3.
农业机械在使用过程中要进行维修,掌握一定的农业机械维修技巧和注意事项,对于广大农业机械驾驶操作人员来说一门必修课,对提高农业机械使用效率,保障农机安全生产具有重要作用。  相似文献   
4.
基体偏压是影响磁控溅射TiNx薄膜结构和性能的关键因素,且TiNx薄膜的结构与其耐蚀性有极大的关系.利用直流反应磁控溅射技术,通过改变基体偏压在304不锈钢表面制备了具有结构缺陷和不同化学计量比的TiNx薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电化学技术研究了TiNx薄膜的表面形貌、相结构和耐蚀性与偏压的关系.结果表明:TiNx薄膜的表面结构与偏压明显相关,适当的偏压有利于获得细小、均匀、致密和光滑的TiNx薄膜;TiNx薄膜为B1-NaCl型面心立方结构,其择优取向为(111)面,增加偏压有利于获得符合化学计量比的TiNx薄膜;致密、光滑和符合化学计量比的TiNx薄膜具有更低的腐蚀倾向;不同化学计量比的TiNx薄膜的腐蚀均为局部剥离,且与该处高密度结构缺陷相关;减少TiNx薄膜的针孔等结构缺陷对于提高其耐蚀性极为重要.  相似文献   
5.
鱼糜灌肠生产的关键工艺及技术要点   总被引:1,自引:0,他引:1  
1 前言西式鱼糜制品是指以鱼糜为主要原料经擂溃(或斩拌 )加上植物蛋白、淀粉及调味料 ,灌装、杀菌等工序制作而成的水产食品。鱼糜制品作为一项古老的技艺在中国烹饪史上相传已久 ,如久负盛名的云梦鱼面、山东鱼饺、福州鱼丸等。西式鱼糜灌肠既能适应现代化大规模生产 ,又具有保质期长、组织结构好等特点 ,将会受到消费者的认可。本文重点介绍其生产的关键工序及其技术要点。2 原料选择目前鱼糜制品的原料主要指冷冻鱼糜。冷冻鱼糜是指将鱼肉经过采肉、漂洗、脱水后加入适量糖类 ,多聚磷酸盐等添加物 ,在低温下冻结 ,能长时间保存的原料…  相似文献   
6.
曲彬  张金林  贺春林 《材料导报》2015,29(12):28-31, 53
利用直流反应溅射技术在不锈钢和硅基体上沉积了TiN纳米晶薄膜,采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)和电化学阻抗谱(EIS)技术研究了薄膜的表面形貌、相结构和耐蚀性与偏压的关系。结果表明,TiN薄膜的表面结构明显取决于所施加的偏压,适当提高偏压有利于获得细小、均匀、致密和光滑的膜层。XRD分析发现,TiN薄膜为面心立方结构,其择优取向为(111)面。实验显示,对应0V和-35V偏压的薄膜为欠化学计量比的,而偏压增加至-70V和-105V时的薄膜为化学计量比的TiN。EIS结果表明,较高偏压下的TiN薄膜几乎在整个频率范围内均表现为容抗特征,其阻抗模值明显高于低偏压下的膜层,这主要与较高偏压下的薄膜具有相对致密的微结构有关。较低偏压的TiN薄膜因结构缺陷较多其耐蚀性低于基体不锈钢。EIS所揭示的薄膜结构特征与FESEM观测结果一致。可见,减少穿膜针孔等结构缺陷有利于改善反应溅射TiN纳米晶薄膜耐蚀性。  相似文献   
7.
曲彬  胡云安 《微计算机信息》2007,23(31):312-314
针对迭代学习遗传算法(ILGA)对PID控制器参数进行整定时要求系统初态等于理想初态的问题,采用在迭代前对实际初态自学习逼近理想初态的方法,放松了迭代学习遗传算法的应用条件,并具有迭代学习次数少,整定PID控制器的最佳控制参数快的特点.简化了控制器的设计过程。给出仿真算例显示了该方法在PID控制器参数自动寻优上的有效性。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号