粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件的性能

通过对粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件性能的测试和探讨,总结出反应升温△trea与气体浓度C存在关系△trea=(ACn)/(1+BCm)(其中A,B＞0,n＞m＞0),同时发现湿度对灵敏度的影响很大而对相对灵敏度影响不大;为确保测量的可靠性应避免用于测量高浓度气体,同时注意稳定测试电压,如用相对灵敏度进行测量,则可以减小湿度对测量结果(测量值)的干扰.     

反应动力学理论和N型金属氧化物点缺陷的统计分布*

提出了用反应动力学理论来研究半导体点缺陷的统计分布的理论.给出了N型半导体施主分布的Fermi公式,N型金属氧化物氧空位Vo+,Vo+,Vo++的浓度公式和吸附氧负离子浓度[O2],[O]的公式.提出一种用来研究有两次电离过程的N型金属氧化物Fermi能级变化范围的方法,给出Ed2-kTln2＜EF＜Ed1-kTlngd1的结果.讨论了在气敏晶体表面O-的产生问题,给出O-不可能在完整晶体表面产生的结论.     

粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏元件

介绍了用粉末溅射做出的两种平面薄膜型酒敏元件的工艺、芯片结构和基本参数测试的结果.     

粉末溅射SnO2/CeO2薄膜酒敏元件

介绍粉末溅射SnO     

悬挂式气敏元件的热功耗和超低热功耗元件探讨

通过理论和实验相结合的方法提出了一个适用于悬挂式气敏元件的热功耗Ph/mW与工作温度T0,环境温度Tr及芯片尺寸S的关系式Ph={5.67×10-11[(T0)4-(T0)4]×0.85+0.21(T0-T0)}S(T0=aT0+bTr,a≈0.135,b≈1.0)并指出采用Si微电子薄膜技术可设计出功耗在10 mW以下的气敏元件.