全文获取类型
收费全文 | 161篇 |
免费 | 15篇 |
国内免费 | 19篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 8篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 13篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 2篇 |
无线电 | 110篇 |
一般工业技术 | 43篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 12篇 |
出版年
2009年 | 5篇 |
2008年 | 19篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 11篇 |
2005年 | 12篇 |
2004年 | 18篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 25篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
排序方式: 共有195条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
ZnO薄膜的制备和结构性能分析 总被引:3,自引:0,他引:3
ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃~300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨. 相似文献
7.
针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题,本文提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性.场发射特性测试表明,ZnO纳米针经过滤后可以提高场发射均匀性,CNTs的掺杂提高了印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度和稳定性,印刷CNTs掺杂的ZnO纳米针薄膜在烧结温度为450℃时,印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度较高.该方法在ZnO纳米针场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值. 相似文献
8.
微型真空力敏器件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好. 相似文献
9.
限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀. 相似文献
10.