Microstructure and strength of brazed joints of TiB2 cermet to TiAl-based alloys

In this study, TiB2 cermet and TiAl-based alloy are vacuum brazed successfully by using Ag-Cu-Ti filler metal.The microstructural analyses indicate that two reaction products, Ti ( Cu, Al ) 2 and Ag bused solid solution ( Ag ( s. s ) ) , are present in the brazing seam, and the iuterface structure of the brazed joint is TiB2/TiB2 Ag ( s. s ) /Ag ( s. s ) Ti ( Cu,Al)2/Ti( Cu, Al)2/TiAl. The experimental results show that the shear strength of the brazed TiB2/TiAl joints decreases us thebrazing time increases at a definite brazing temperature. When the joint is brazed at 1 223 K for 5 min, a joint strength up to 173 MPa is achieved.     

基于集成的非均衡数据分类主动学习算法

当前,处理类别非均衡数据采用的主要方法之一就是预处理,将数据均衡化之后采取传统的方法加以训练.预处理的方法主要有过取样和欠取样,然而过取样和欠取样都有自己的不足,提出拆分提升主动学习算法SBAL( Split-Boost Active Learning),该算法将大类样本集根据非均衡比例分成多个子集,子集与小类样本集合并,对其采用AdaBoost算法训练子分类器,然后集成一个总分类器,并基于QBC( Query-by-committee)主动学习算法主动选取有效样本进行训练,基本避免了由于增加样本或者减少样本所带来的不足.实验表明,提出的算法对于非均衡数据具有更高的分类精度.     

TiC陶瓷/NiCrSiB/铸铁钎焊连接的界面组织和强度分析

采用NiCrSiB钎料对TiC陶瓷与铸铁进行钎焊连接,分析了接头的界面组织和剪切强度.结果表明:当连接规范一定时,在钎料内部、钎料与母材的界面处有TiC从TiC陶瓷侧扩散过来,同时在钎料内部和界面处有[Ni,Fe]和Ni基固溶体生成.当连接温度为1373K,连接时间为20 min时,接头的剪切强度最高可达78.6 MPa.     

浅谈如何培养中医院校非医学学生干部的几点思考

本文从中医院校非医学学生干部特点入手。分析非医学学生干部在中医院校中的心理特点及状态。在对非医学学生干部培养上,阐述了学生干部的常规培养方式和医学院校中非医学学生干部培养形式。最后,对非医学学生干部培养实用性等问题进行了阐述。     

SiC陶瓷真空钎焊接头显微组织和性能

在高真空条件下采用Ti-35Zr-35Ni-15Cu(质量分数/%)钎料对SiC陶瓷进行了钎焊连接,研究了接头界面组织的形成过程以及工艺参数对接头性能的影响。结果表明:钎料与SiC陶瓷发生了复杂的界面反应,生成了多种界面产物。当钎焊温度为960℃,保温时间为10min时,SiC陶瓷侧形成了连续的TiC和Ti5Si3+Zr2Si层,同时Ti5Si3+Zr2Si向钎缝中心生长呈长条状。SiC陶瓷到接头钎缝中心的显微组织依次为:SiC/TiC/Ti5Si3+Zr2Si/Zr(s,s)/Ti(s,s)+Ti2(Cu,Ni)/(Ti,Zr)(Ni,Cu)。钎焊温度为960℃,保温时间为30min时,长条状的Ti5Si3+Zr2Si贯穿了整个接头。钎焊接头强度随着钎焊温度的升高和钎焊时间的延长都呈现先增大后减小的趋势。当钎焊温度为960℃,保温时间为10min时,接头的剪切强度最高,达到了110MPa。     

空调负荷模型对电网仿真影响

随着空调负荷比例的日益增长,其对电网的安全稳定影响需要开展深入研究。为准确反应空调负荷的特性,充分考虑了传统空调及新型变频空调的总体特性,建立了变频空调为主的混合模型。对比研究了传统空调负荷模型、混合模型以及目前工程上仍然采用的静态负荷模型,分析了它们对电网仿真结果的差异。结果表明：一方面用静态负荷描述空调设备,仿真结果过于乐观;另一方面,变频空调比例很大时,对局部电网的无功/电压特性影响较大。     

ZrB2-SiC陶瓷复合材料钎焊接头界面组织及性能

采用BNi₂钎料,对ZrB₂-SiC陶瓷复合材料进行真空钎焊研究.借助SEM,EDS,XRD等分析测试手段分析了界面组织结构及性能.确定了最佳钎焊工艺参数:钎焊温度1160℃,保温时间20 min.结果表明,接头界面产物主要有δ-Ni₂Si,β₁-Ni₃Si,ZrB₂+C,Ni(s,s),Cr_xB_yC_z.随着钎焊温度升高以及保温时间的延长,接头抗剪强度均先升高后降低.钎焊温度1160℃,保温时间20 min,钎焊接头室温抗剪强度达到最大121.3 MPa.钎焊温度和保温时间对接头断裂方式的影响有相似的规律,在保温时间较短时,裂纹主要产生于钎缝中的Ni(s,s)中,之后向Ni元素扩散层中扩展;当保温时间适中时,断裂主要发生在Ni元素扩散层中;当保温时间延长时,裂纹主要产生于含有一定β₁-Ni₃Si相的Ni(s,s)中,之后向Ni元素扩散层中扩展.     

基于人工神经网络的光学图像标准化显示研究

光学图像作为二维或三维数据集,在地理、医学和遥感图像等领域是一种重要的通讯数据,因此,对光学图像的正确表达是进行数据通讯和分析的关键.基于医学图像标准DICOM中定义的灰度标准显示函数(GSDF),本文提出了一种光学图像显示方法.与DICOM不同的是,本方法采用人工神经网络获取GSDF模型,所有实验数据来自中国计量科学...     

金刚石半导体器件研究概述

半个多世纪以来半导体基础材料经历了从锗、硅为代表的第一代,砷化镓、磷化铟为代表的第二代,碳化硅、氮化镓、氮化铝为代表的第三代的逐步演化。在演化过程中,更快响应,更高功率,更强稳定性始终是人们不断追求的目标。尽管现有半导体器件已经极大的推动了人类文明的进步且创造了巨大的价值,但是第四代半导体材料——金刚石展现出来的各种特性依旧使人欣喜和对未来充满信心。本文将概述现阶段金刚石半导体器件研究的进展,包括金刚石材料的制备,金刚石二极管、发光二极管、三极管、场效应管,金刚石传感器,金刚石微机械等等。