PVC/CPE共混体系相容性-形态-冲击强度关系的研究

本文使用日本产DDV-Ⅲ-EA型动态粘弹仪、扫描电子显微镜(SEM)及其它辅助设备,对国产PVC/CPE其混体系进行了讨论。结果表明,PVC/CPE属界面相容(compatible)共混体系,该体系的界面相容性与其动态力学谱图“E”曲线上各组分之T_g峰位无关,只与二组分之次级转变峰及二组分之松弛峰是否有一定互融性有关。共混组成、温度及时间是影响体系相容性、形态及冲击强度的重要因素。共混条件一定时,体系的相容性、冲击强度随CPE含量增加有一最佳值,此时形态结构对增韧最有利,大于或小于该含量都不能得到理想的增韧效果。共混组成一定时,随共混条件不同,体系的上述性能也随之改变,也存在一最佳值。所以,适当选择共混条件厦改性剂用量尤为重要。     

细菌纤维素制备及吸附金属离子的研究进展

细菌纤维素（BC）是一种由微生物发酵制备的纤维素,具有独特的结构和物理化学性质。BC分子存在大量的羟基,具有超细网状纳米纤维结构,比表面积高,对溶液中金属离子有良好的吸附性能。本文对细菌纤维素制备条件（菌种、常用碳源及助剂）、细菌纤维素吸附重金属离子及机理的研究进展进行了总结及展望。     

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。     

建筑工程桩基施工技术管理探讨

桩基施工属于建筑工程中十分重要的环节,是一项工程项目最重要的基础施工环节,一旦桩基础施工出现技术问题,会直接影响建筑工程整体施工质量。本文主要分析了桩基施工过程中需要避免的问题以及桩基施工技术本身存在的问题,并探究了建筑工程桩基施工技术的有效管理措施。     

井下装药车及其应用前景

随着我国经济的快速发展，对矿产品的需求越来越大，国内各大中型矿山都在通过不断提高自身的机械化、数字化来提高采矿产能。在我国地下开采的钻、爆、铲、运四个主要环节中，爆破的机械化水平远远落后于其它几个环节．已经成为制约矿山提高产能的一个瓶颈。介绍了国内外井下装药机械的发展以厦发展前景，并对一种新型的井下装药车进行了详细的介绍。     

大型高精度轧辊的加工与检测

加工高精度的轧辊在机械制造业中日益普遍,其支承辊与工作辊的精度可达2～3级。辊身硬度一般为HS95～97之间,粗糙度为Ra0.2～0.4μm(见图1)。     

基于Skyline城市三维地下管线管理系统的设计与实现

为解决酒泉市城区地下管线信息管理,文中以Skyline和Arcgis为平台,以管线普查数据为基础,整合DOM、DEM及三维精细模型数据,设计实现了二三维一体化的地下管线管理信息系统,系统具有强大的管网分析功能,为地下管线的管理提供了现代化的手段和决策支持。     

气门间隙对进气门工作可靠性的影响

为解决某船用发动机进气门断裂故障,排查零部件的技术因素、装配过程、强度分析、气门检查等,确定故障原因;采用配气机构动力学仿真和有限元分析验证故障原因,提出改进措施。结果表明：进气门断裂的主要原因为进气门间隙过大,造成进气摇臂与进气门之间的接触力及进气门落座力增大,导致气门锁夹下边缘和阀杆下部应力集中,安全系数下降;气门间隙调整需在气缸位于压缩上止点时进行,并按照发火顺序调节其余各缸气门间隙,提高气门工作的可靠性。     

轻烃回收装置液化气C5组分超标原因分析

通过对轻烃回收装置液化气中C₅组分超标情况进行原因分析,发现是稳定塔进料温度波动、带炼T-35104罐污油、加工脱丁烷塔顶气、稳定塔塔顶水冷器冷却效果不佳等因素所造成。对稳定塔重沸器温度、塔42层温度、塔进料温度、塔顶压力等工艺参数进行优化调整,产品分析报告显示,液化气C₅组分含量均≯3%,产品质量满足工艺要求,为同类装置的安全经济运行积累了经验。     

SiC MOSFET单粒子效应研究现状

伴随核能与空间技术的快速发展,SiC MOSFET等高压大功率器件的应用不断增加,其因环境中的高能粒子辐射所引起的单粒子效应问题（如单粒子烧毁、单粒子栅击穿等）也逐渐凸显。为全面深入认识该问题,首先,论证了SiC MOSFET的优势特性,及其在辐射应用中面临的关键问题。然后,整理了目前国内外关于SiC MOSFET单粒子效应的模拟计算、辐照实验及相应研究成果,总结了在SiC MOSFET单粒子效应研究中的主要关注点,并分析了SiC MOSFET单粒子效应敏感性较高的原因。最后,基于目前SiC MOSFET单粒子效应研究中仍存在的问题,展望了未来可重点关注的研究方向。通过系统总结国内外SiC MOSFET单粒子效应研究进展,希望能为研究SiC MOSFET单粒子效应物理机制以及改进其抗单粒子效应加固技术提供有价值的参考。