不同应力条件下亚微米MOSFET''s热载流子退变特性实验研究

本文对N沟道亚微米器件在不同应力条件下的热载流子退变特性进行了实验研究。实验结果表明:热空穴注入对器件的热载流子退变特性有重要影响。文章对不同应力条件下器件中的热空穴注入与热电子注入的相互作用进行了分析。     

N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响*

从模拟和试验二方面对N区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0.35-1.2μm器件,我们将N区的掺杂浓度优化为7×1017-1×1018/cm3.利用优化结果进行试验生产,并对器件寿命进行测量的结果表明,沟道长度0.8μm以上的均可以在5V的电源电压下可靠地工作10年(工业标准);0.4μm的器件,可以在4V的电源电压下达到10年的工作寿命(热载流子寿命).     

油库安全隐患排查及风险评估

油库的安全管理已经从事后解决问题阶段发展为事前排查隐患，并用风险评估法进行风险分析，让时时存在的风险变成可预计、可估量，并且可以提前处理，以达到让风险降至最小或者可以接受的水平。本人从安全隐患排查和风险评估的角度出发，探讨油库的安全管理方法。     

内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.     

内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.     

一个集成电路工艺诊断实例

介绍了一种计算机自动PCM(process control module)工艺参数分析系统,可用于集成电路制造过程中的工艺诊断和分析.在具体处理上应用了主成分分析方法,能够从大量数据中提取其统计特征,根据这一特征可找出造成工艺波动的关键因素.从所给出的具体诊断实例来看,该方法能够得出一般人工诊断所不能得出的诊断结论,效果较好,是实施严格生产控制的有效工具.     

集成电路片内铜互连技术的发展

论述了铜互连取代铝互连的主要考虑,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了ULSI片内铜互连技术的发展现状。     

齐成伟带纵公式在带状高含硫气藏中的推广

齐成伟带纵公式不适用于带状高含硫气藏,根据气相渗流与液相渗流的相似原理和Roberts气体相对渗透率与含硫饱和度的关系,将齐成伟带纵公式的适用条件推广为高含硫气藏,推导出了带状高含硫气藏中纵向双分支水平井的拟三维产能预测公式,即齐成伟带纵公式的高含硫气藏推广公式。根据齐成伟带纵公式的高含硫气藏推广公式,分析了硫沉积量、渗透率各向异性系数、带状气藏长度、生产段井筒位置和生产段长度对产能的影响。分析结果表明:产能随着含硫饱和度或渗透率各向异性系数的增大而减小;相同井境下,含硫饱和度对产能的影响要明显大于渗透率各向异性系数;产能随着带状气藏长度的增大而减小;产能随着生产段井筒位置的增大先增大,后减小,且当生产段井筒处于气藏中央高度时,产能最大;产能随着生产段长度的增大而增大。     

吉富罗非鱼胶原蛋白酸解液美拉德反应产物风味成分的分析

以吉富罗非鱼鱼皮中胶原蛋白酸解液和葡萄糖为主要基质进行美拉德反应,采用氨基酸自动分析仪和GC-MS分析了游离氨基酸组成和主要风味成分.结果表明,胶原蛋白的提取率为9.08%,游离氨基酸完全符合胶原蛋白特有的氨基酸组成,且风味氨基酸占65.12%.此外鉴定出5种风味成分,总的相对含量占63.63%,其中包括乙酸乙酯、柠檬烯、2,3-二羟基丙醛、乙酸异丙酯、二乙二醇丁醚醋酸酯等.     

AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究

本文研究了固定漏电压,栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ‘ｓ器件特性的退化特性,不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明,ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关。ＡＣ应力条件下器件退化是否增强,取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力。