气体沿面放电低温等离子体对扩展青霉孢子杀灭效果

目的:研究气体沿面放电低温等离子体对扩展青霉孢子的杀菌效果。方法:以扩展青霉标准菌株CICC 40658和扩展青霉分离菌株F-LPH10-06为目标菌株,探讨2株菌在马铃薯葡萄糖液体培养基中的生长和产毒特性;应用自制的气体沿面放电低温等离子体杀菌设备,探讨处理时间、电源电压及孢子不同初始浓度对杀菌效果的影响;并应用扫描电子显微镜对孢子形态变化进行观察。结果:扩展青霉CICC 40658和F-LPH10-06培养14 d后的菌体干质量分别为28.6 mg和128.7 mg,展青霉素含量分别为912.40μg/L和147.97 mg/L,F-LPH10-06产毒量几乎是CICC 40658产毒量的162倍。气体沿面放电低温等离子体21 min能全部杀死样品中CICC 40658孢子(初始浓度为3.4×10~6个/mL);处理30 min,能使样品中F-LPH10-06孢子(初始浓度为1.5×10~6个/mL)减少4.58 lg(个/mL)。在相同的处理时间下,随着电源电压升高和初始孢子浓度降低,杀菌效果逐渐提高。扫描电子显微镜结果表明,孢子表面形态经过放电处理后被改变,这可能与放电过程中产生的高能电子和活性氧有关。结论:气体沿面放电低温等离子体对扩展青霉孢子有一定杀灭作用,这为低温杀菌技术的发展和应用提供了理论依据。