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1.
在低频、射频和微波波段频率下,借助HP4192A阻抗分析仪和HP8720ET/ES网络分析仪,对3种Bi基焦绿石结构介电陶瓷材料BZN[(Bi1.5Zn0.5)(Zn05Nb1.5)O7]、BZS[(Bi1.5Zn05)(Zn0.5Sb1.5)O7]和BCZN[(Bi1.5Ca0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7]的介电频率特性进行了分析研究.结果发现:介电常数随着Bi基焦绿石结构中氧八面体间隙增大而增大;从低频到射频,BZN(ε≈160)、BZS(ε≈42)和BCZN(ε≈81)三体系介电常数都较高且很稳定,其介质损耗都很低(Tanδ≈10-4);在微波频段(4GHz)下,介电常数分别约为98.596、30.573和56.451. 相似文献
2.
活化对不锈钢着色膜的均匀性和耐磨性有重要的影响.为此,研究了6种不同活化方法即HCI室温活化、H2SO4室温活化、H2SO4阳极活化、H2SO4阴极活化、H2SO4高温活化、H2SO4-CrO3阳极活化对不锈钢着色的影响,测定了不锈钢着色的电位-时间曲线,讨论了电位-时间曲线的参数tB与tC的对应关系及其对不锈钢着色质量的影响.结果表明:活化可加快着色过程,有助于获得光亮、均匀、耐磨的着色表面;升高温度有利于活化;阳极电解活化明显优于阴极电解活化;相同浓度的HCI和H2SO4溶液的活化效果相当;10%的H2SO4阳极电解活化的效果最好;可以用tB或tC的大小来表征活化效果及着色的难易程度. 相似文献
3.
以黄粉虫粗多糖为原料,通过单因素脱蛋白试验,利用响应面法优化脱蛋白工艺,经DEAE-纤维素阴离子层析柱纯化,对多糖进行体外抗氧化活性分析。结果表明:各因素对黄粉虫粗多糖蛋白去除率的影响程度为:脱蛋白次数>振摇时间>静置时间。当Sevage试剂加入量与粗多糖溶液体积比为1:1时,优化条件为:振摇时间17 min、静置时间19 min、脱蛋白次数2次,蛋白去除率达61.25%。与未除蛋白的粗多糖相比,除蛋白后黄粉虫多糖对DPPH自由基、羟自由基清除能力的IC50减小,分别为3.052、7.276 mg/mL,说明多糖抗氧化活性增强。黄粉虫多糖经不同浓度NaCl溶液梯度洗脱纯化获得4个主要组分,其中0.5 mol/L NaCl洗脱的多糖体外抗氧化性综合能力最强。 相似文献
4.
5.
6.
添加Sb2O3对NBT基陶瓷介电和铁电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备出微量BiSbO3固溶的(Na0.5Bi0.5)TiO3(NBT-xBS,x=0~0.03)陶瓷,并对其结构、介电及铁电性能进行了研究。X-射线衍射分析结果表明四种配方均形成了钙钛矿结构晶相。扫描电镜分析显示BiSbO3的引入有助于烧结形成致密的多晶结构。随着BiSbO3固溶量的增加,样品的介电常数减小,而介电损耗基本不变,陶瓷的弛豫性增强,是由于BiSbO3的引入使得晶体结构中A和B位离子排列更加无序造成的。BiSbO3的固溶使NBT仍保持较高的极化强度,矫顽场从7.3 kV/mm降至4 kV/mm,从而在一定程度有效解决了NBT高矫顽场的问题。 相似文献
7.
采用传统压电陶瓷固相合成法制得纯钙钛矿相的(1.002-5x)NBT-4xKBT-(x-0.002)BT(x=0.026,0.028,0.030,0.032,0.034)(简写为BNBKT100x)系弛豫铁电体。通过X-射线衍射(XRD)分析,当x=0.030时为三方、四方两相共存,为该体系的准同型相界。系列样品的介电温谱显示在室温到500℃之间存在两个介电反常峰,分别对应于陶瓷材料的铁电-反铁电-顺电相变。同时发现该系列样品显示出弛豫铁电体特性。并用成分起伏理论解释了这种弛豫弥散相变。 相似文献
8.
用常压烧结法制备铋掺杂铌酸钾钠无铅压电陶瓷(K0.5Na0.5)1-3xBixNbO3(KNBN)。研究不同铋掺杂量对KNN陶瓷结构、形貌、致密度及电学性能的影响。结果表明:在1 120℃烧结的含铋量为1%(摩尔分数)的陶瓷表现出最好的铁电和压电性能及较好的介电性能,即压电常数最大121pC/N,P-E回线形状达到饱和,且剩余极化为12.67μC/cm2,矫顽场Ec为13.58kV/cm,介电常数为575,损耗为5.82%(频率为1kHz)。陶瓷样品在131℃从正交结构转变到四方结构,Curie温度为400℃。 相似文献
9.
给出一种基于FPGA的8051MCU的IP核设计方案,指令集与标准8051系列处理器完全兼容。采用译码——执行两级流水结构,并通过了仿真与综合,理论速度较传统8051MCU有610倍的提升。针对CISC流水线设计的复杂性,提出了一种高效的实现方案,可以使执行结构近满状态运行,且简便有效地解决了传统流水线所必须面对的三种冲突。设计采用Verilog HDL语言描述,并采用ModelsimSE 6.2进行功能和时序验证,将代码下载到Xilinx公司的FPGA上进行物理验证,测试了一个LED流水灯程序,结果表明软核达到了预期的效果。 相似文献
10.
基于铌酸银(AgNbO3)陶瓷材料存在的铁电与反铁电相界,可通过离子掺杂的手段对其进行调控。本文通过水热法制备了A位Y掺杂的Ag1-3xYxNbO3(AN-xY,x=0~0.05)反铁电陶瓷,对微结构、介电,以及阻抗性能进行测试,并基于密度泛函理论的第一性原理计算,探究了AN-xY禁带宽度变化的机理。结果表明,随着Y3+掺杂量的增加,AN-xY陶瓷的M1-M2相向低温移动,反铁电稳定性增加,阻抗值减小。Y3+掺杂所产生的施主能级使电子更容易从价带激发至导带,禁带宽度由1.959 eV减小至1.746 eV。A位Y3+的掺杂可以对AgNbO3的电性能进行目的性调控,对当前AgNbO3基无铅反铁电陶瓷的研究与微观机理分析具有重要的参考价值。 相似文献