原子层沉积制备二氧化钛薄膜及其光催化性能研究

采用原子层沉积方法在K9玻璃上制备出TiO₂薄膜,利用XRD、SEM、AFM、分光光度计和紫外-可见光谱仪表征了不同沉积温度下薄膜的物相结构、光学性能和光催化性能。结果表明：25℃和120℃下制备的TiO₂薄膜为无定形态结构,210℃和300℃下可获得锐钛矿结构;随着沉积温度的升高,薄膜的晶粒尺寸变大,表面粗糙度增加,透射率降低,光催化性能增强;300℃下制备的TiO₂薄膜(2mm*2mm)经过12h的紫外可见光照射,甲基橙溶液的降解率可达47.16%,通过增加样品表面积可明显提高对甲基橙溶液的降解率。     

CVD金刚石薄膜技术发展现状及展望(下)

简要描述了CVD金刚石薄膜技术的发展历程。介绍了纳米特别是超纳米金刚石膜、CVD金刚石大单晶的技术特点及其应用。超纳米金刚石膜在MEMS(微机电系统)、电化学和生物医学上的应用和CVD金刚石大单晶是当前的研究热点。简言之,金刚石的发展向着更大或者更小的方向深入进行,即"非大即小"。     

CVD金刚石薄膜技术发展现状及展望（上）

简要描述了CVD金刚石薄膜技术的发展历程。介绍了纳米特别是超纳米金刚石膜、CVD金刚石大单晶的技术特点及其应用。超纳米金刚石膜在MEMS（微机电系统）、电化学和生物医学上的应用和CVD金刚石大单晶是当前的研究热点。简言之,金刚石的发展向着更大或者更小的方向深入进行,即＂非大即小＂。     

CeO2对铁基结合剂镀Ni金刚石节块性能的影响

本文研究了金刚石表面镀Ni层的形貌和不同含量CeO2的加入对铁基结合剂镀Ni金刚石节块性能的影响。结果表明:稀土CeO2的加入对铁基结合剂镀Ni金刚石节块的抗弯强度有一定的影响;当CeO2加入量为0.8%时,能得到最优的性能。     

地电位带电装拆导线侧M销工具研制

介绍了一种地电位带电装拆导线侧碗头挂板碗口向下M销工具,该设备采用接地电位工作方法,以带电更换导线侧碗头口朝下绝缘子为主体,通过敲销板、托碗钩的配合操作退出导线侧碗头朝下M销的设计与应用,为此种金具连接的绝缘子串提供了一种新的地电位带电作业检修方式。     

退火温度对原子层沉积TiO2薄膜结构、形貌和光学性能影响

采用原子层沉积技术(ALD)在石英衬底上制备了TiO₂薄膜,并对其进行不同温度的快速光热退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、拉曼(Raman)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对薄膜进行表征。研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明：当薄膜未退火时,其具有非晶态性质;薄膜在300～600℃的范围下退火时,其具有结晶态性质。当样品在未退火下,其表面粗糙度和光学带隙分别为17.226 nm和3.57 eV;随着退火温度不断升至600℃时,薄膜的表面粗糙度增至30.713 nm变大,晶粒尺寸增至24.75 nm,光学带隙减至3.41 eV。此外,样品的折射率和消光系数随着退火温度的升高呈下降趋势。在实验条件下,最佳退火温度为600℃。     

CVD金刚石薄膜技术发展现状及展望(上)

简要描述了CVD金刚石薄膜技术的发展历程.介绍了纳米特别是超纳米金刚石膜、CVD金刚石大单晶的技术特点及其应用.超纳米金刚石膜在MEMS(微机电系统)、电化学和生物医学上的应用和CVD金刚石大单晶是当前的研究热点.简言之,金刚石的发展向着更大或者更小的方向深入进行,即“非大即小”.