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通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
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为解决蓝牙设备对"北斗"卫星无线测定服务(RDSS)的干扰问题,设计了一款"北斗"射频芯片并流片,重点从系统架构、高线性模块电路设计两个方面实现。实测结果表明,该芯片在蓝牙环境下能够很好工作,整机性能不会下降。该芯片的推出将解决长期困扰RDSS接收机的蓝牙干扰以及未来4G移动网络的干扰问题,促进"北斗"的广泛应用。 相似文献
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以耐贮藏的“红富士”(MalusdomesticaBorkhvar.RedFuji)苹果果实为试材,研究了果实采后衰老过程中超弱发光(Ultra-weakLuminescence,UWL)、乙烯释放和呼吸跃变对1-甲基环丙烯(1-methycyclopropene,1-MCP)的响应。结果显示,自然状态贮藏的果实UWL的变化与呼吸速率、乙烯释放速率的变化趋势相似,均有明显的高峰出现,且出峰时间一致。1-MCP处理后,果实的超弱发光峰明显拖后,但峰值不低于对照。高峰之后UWL值明显高于对照。与此同时,果实软化明显延缓,呼吸与乙烯释放速率下降,乙烯、呼吸跃变高峰也推迟。果实超弱发光能够反映富士苹果采后衰老过程中代谢的变化。 相似文献
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ZL-Ⅱ型污染源自动监示系统是适应国内目前环境监督管理工作新的需要,最新推出的一种新型环境监理自动监示系统。本系统与有关监控仪器、设备配用,能将水、大气、噪声等各种治理设施的运行情况,如治理设备运行时间、污水排放总量、污水COD含量、加药控制等各种参数集中管理。系统采用内置式挂网通讯的MODEM,配备独立的网络管理和通讯软件,将所有监控信息数据记录、显示、打印、现场电脑提取或实时传至网络终端 (环保主营部门主机),使环境监理人员通过系统自动、连续、准确、适时掌握各类企业环境治理设施运行状况。1系… 相似文献
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提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm2,优值达21.3 MW/cm2,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。 相似文献
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