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长期的研究表明,低温外延技术带来许多独特的好处,该技术能克服诸如采用常规CVD作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于UHV/CVD技术的应用,工业用的UHV/CVD系统已经成功地应用于SiGe器件的制备中,并取得了令人满意的结果。 相似文献
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介绍了开关和插座依据标准GB16915.1-2003《家用和类似用途固定式电气装置的开关第一部分:通用要求》及GB2099.1-2008《家用和类似用途插头插座第一部分:通用要求》进行检测中遇到的常见故障分析,以及开关和插座在市场选购中应关注的事项。 相似文献
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