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用气相外延方法在Ge和GaAs衬底上成功地生长出性能良好的异质外延薄膜,经降阻掺杂制成异质P—N〔(p)Ge—ZnSe(n)和(p)GaAs—Znse(n)〕结,克服Ⅱ—Ⅵ族化合物无法做成P—N结的“自补偿”效应,通过X射线分析、劳厄照相和I—V、C—V测试表明,ZnSe 外延薄膜质量较好,可做为重要的光学材料. 相似文献
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