Gd3（1-x）Al5O12：RE3X分立材料芯片制备及发光性能研究

将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3（1-x）Al5O12：RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果：1）在紫外激发下（254 nm）Gd3（1-x）Al5O3：Eu3x材料具有红色荧光性能;2）Pr（n（Pr）：n（Eu）＜1：10）、Ce（n（Ce）：n（Eu）＜1：10）共掺杂时会降低发光强度.光谱分析表明：Pr、Ce能级嵌入,使得激活剂和敏化剂发生共振能量传递,是Gd3Al5O12：Eu（简称为GAG：Eu）发光效率降低的主要原因.筛选结果得到柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体筛选实验结果验证.实验结果表明组合法在发光材料开发上具有高效性.     

铝酸钆基体发光薄膜组合芯片制备及其发光性能

组合材料芯片技术是功能材料开发研究的全新方法，能够高效、快速地筛选／优化新材料。采用这一技术快速发现／优化新型铝酸钆系发光材料(Gd1-xAlyOx：Rex)，并通过柠檬酸-硝酸盐燃烧法制备的相同粉体的实验结果，考察了材料芯片筛选结果的可靠性。对发光体在波长为254DE的紫外光激发下进行实验，获得如下的研究结果：铝酸钆基体晶相中n(Gd)：n(A1)的最佳比值为1：1和3：5。GdAlO3中的最佳激活剂(主要是Eu，Pr和Ce)Eu，且Gd1-xAlO3：Eux的主发射峰位置为615nm和593nm。Gd1-xAlO3：Eux中的最佳掺量x值为0．09。     

旅行的意义

正人的一生应该有两次冲动:一场奋不顾身的爱情和一次说走就走的旅行。对于小编而言,寻觅一份不可预知的爱情,不如踏上一段自由放任的旅途来得实际。不过当旅行遇上穷游,是否还能闪亮入镜?下面就跟着小编一起来看看《花儿与少年》中几位明星是怎么各显神通,美出"镜"界的!     

虹吸式屋面雨水排水系统单斗虹吸启动数值模拟研究

虹吸式屋面雨水排水系统的虹吸启动流量、启动时间影响到雨水天沟容积的确定以及虹吸系统是否能顺利、有效运行。运用CFD计算流体力学方法,对DN56、DN75、DN90、DN110规格的虹吸雨水斗在天沟内的运行情况进行建模,模拟雨水流经不同规格雨水斗时的流态及进入管路系统后的虹吸启动情况,并对比分析已有水力试验数据,对差异存在的可能原因进行探讨。结果表明,CFD数值模拟结果与水力试验数据接近,因此CFD数值模拟方法可为相关产品和系统的研发提供辅助设计。     

基于修正ANT逻辑高速树形32 Bit Carry Lookahead加法器

一种用修正全NMOS管逻辑（ANT）实现的树形结构高速32bit carry Lookahead加法器,使用两相时钟动态CMOS逻辑、修正不反向ANT逻辑和二进制树形结构实现。该加法器运用0．25μm工艺,文中给出了修正ANT逻辑中所有晶体管的宽长尺寸和仿真结果,最高工作频率为2GHz。计算结果在3．5个时钟周期后有效。     

基于贝叶斯信念网络的BIM应用成功影响因素研究

针对我国建筑行业在BIM应用过程中存在的诸多问题,通过文献综述,结合相关专家意见,构建基于贝叶斯信念网络的BIM应用成功影响因素研究模型,并对各影响因素进行分析。结果表明,当具备企业各部门的密切合作、明确的战略规划、充分的BIM培训、企业BIM标准的构建、企业信息化意识与信念5个因素中的一个或多个时,BIM应用成功的概率较高。该研究结果能够有效提升BIM应用水平和质量。     

(Sr1-xMex)2SiO4:Eu荧光粉光谱调控机制

采用高温固相法制备(Sr1-xMex)1.95SiO4:0.05Eu系列荧光粉,研究不同大(Ba2+)、小(Mg2+)半径离子基体固溶对其物相、发光中心配位结构、Eu离子价态的影响,探究其光谱精细调控机制。Sr2SiO4粉末中随着温度升高α-Sr2SiO4相增加、β-Sr2SiO4相减少;Mg2+ (小半径离子)掺杂可以提高α-Sr2SiO4相稳定性,但容易出现Mg2SiO4,粉末中始终为混合物;Ba2+ (大半径离子) 掺杂可以提高α-Sr2SiO4相稳定性,粉体发生β-Sr2SiO4+α-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4+Ba2SiO4→Ba2SiO4转变,且β-Sr2SiO4、α-Sr2SiO4、Ba2SiO4的顺序其Si–O–Me(I)–O–Me(II)链逐渐由锯齿状变为平直状、Me-O键长拉长。Eu离子激活的β-Sr2SiO4、α-Sr2SiO4、Ba2SiO4粉体在254nm(365nm) 激发下有明亮的绿色荧光发射（且依序强度增强、光谱整体略微蓝移）和微弱的红光发射;当光学基体发生β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4转变时,发射光谱中Eu2+(I)蓝移Eu2+(II)红移（Si–O–Sr(I)–O–Sr(II)由锯齿形链成为平链,且Sr-O键拉长）,发生α-Sr2SiO4→Ba2SiO4转变则Eu2+(I)、Eu2+(II)均发生蓝移（仅发生Me-O键拉长）;三种粉体热释光谱中均存在Eu2+和Eu3+缺陷能级,且Eu2+缺陷浓度更高。Eu3d的精细x射线光电子谱表明随着β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→Ba2SiO4转变其Eu离子以Eu2+存在的可能性增大,对应的电子顺磁共振也证实这一结果。由此可见,采用Ba2+离子固溶掺杂Sr2SiO4,可在一定浓度范围得到单相粉末,实现光学基体的β-Sr2SiO4→α-Sr2SiO4→Ba2SiO4相变,调控Si–O–Me(I)–O–Me(II)链型及Me-O键长,调节Eu离子价态和配位场,进而实现其绿色荧光粉荧光强度、发射波段精确调控。     

Gd1-xAlO3：Eux^3＋梯度材料芯片制备及发光性能

将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3：Eux^3＋（发光峰丰峰位置为615nm，对应Eu^5D0→^7F2电子跃迁）的激活剂掺杂晕优化。获得如下的研究结果：在紫外激发T（254nm）Gd1-xAlO3：Eux^3＋材料中的x值为0．09；Pr共掺杂时会降低发光强度（n（Pr）：n（Eu）〈1：10）。光谱分析表明：Pr，Eu间卢子支持的共振能量传递，是Pr降低Gd1-xAlO3：Eux^3＋（简写为：GAP：Eu）发光强度的丰要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂萤优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。     

高线性度上变频混频器设计

首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于Chartered 0.25／μmCMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3dB,在50～860MHz的频率范围内增益变化小于0．5dB,IIP3为10dBm,在3．3V单电源下消耗20mA的电流。对实际样片的测试表明电路的混频功能良好。     

一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10~(-6)/℃、。在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。