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1.
2.
掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3,PT)超细粉末,分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明:这种粉末在约600℃热处理温度下,由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成,其晶粒平均尺寸约为18nm,比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中,Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置,产生阳离子空位,诱发晶格畸变,使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外,掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c/a比未掺Tb^3 的PT中的低,这类似于产生了赝立方结构,降低了从立方相向这种四方相转化的势垒,有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生,使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。 相似文献
3.
4.
基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 相似文献
5.
6.
两步沉淀法合成锆钛酸铅相形成的反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界.结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT.XRD分析结果表明:900℃煅烧合成的PZT粉体,摩尔组成在0.47≤x≤0.55范围时,菱方相和四方相共存,两相相等的组成点为x=0.515.基于PbO-PZT和PZT-ZrxTi1-xO3(ZT)2个反应界面以及离子扩散,提出了关于两步沉淀法合成PZT相形成反应机理的模型. 相似文献
7.
8.
9.
聚四氟乙烯(PTFE)具有良好的生物稳定性,是一种被广泛应用的生物材料。利用聚多巴胺(PDA)化学及原位共沉积法,在PTFE基板表面沉积制备复合薄膜,以改善其表面的亲水性和细胞响应特性。研究结果显示,由PDA和TiO2构成的薄膜可以有效地沉积与PTFE基板表面。薄膜均匀且与基板结合牢固,剪切强度可达23.5 MPa。薄膜中的TiO2含量可以通过沉积液中的TiO2水溶胶加入量调节。具有薄膜的PTFE表面成纤维细胞和成骨细胞响应性较之PTFE基板显著改进,1 d的细胞粘附试验和3 d的细胞增殖试验均显示涂层表面细胞数量显著高于无涂层的PTFE。这种在PTFE表面构建二氧化钛涂层的方法简单易行,在PTFE植入体表面修饰方面具有较好的应用前景。 相似文献
10.
利用射频磁控溅射法结合后期热处理,在Si(100)基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca
0.5MnxTi1-xO3(LCMTO)复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、电子衍射
能谱(EDS)等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明,薄膜在600℃以上
开始析晶,850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶
格常数不同,温度越高,晶相的晶格常数越大;薄膜厚度越大,晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧
分压,形成氧空位浓度低的完整晶相, Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小. 相似文献
0.5MnxTi1-xO3(LCMTO)复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、电子衍射
能谱(EDS)等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明,薄膜在600℃以上
开始析晶,850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶
格常数不同,温度越高,晶相的晶格常数越大;薄膜厚度越大,晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧
分压,形成氧空位浓度低的完整晶相, Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小. 相似文献