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基于微电子和微机械加工工艺制备了一类氮化铝AlN(Aluminum Nitride)压电微扬声器.研究了器件薄膜残余应力对器件性能的影响,采用带有高残余压应力的高c-轴取向氮化铝薄膜分别作为器件压电层和支撑层增大微扬声器的输出声压,同时利用工艺手段控制整体薄膜残余应力进一步增大器件输出声压.该微扬声器的悬膜直径仅为1.35 mm,厚度为0.95μm.在开放空间内,采用声压级检测仪对该微扬声器的输出声压级SPL(Sound Pressure Level)进行扫频测试(频率范围:0.5 kHz~20 kHz).测得单个微扬声器在距离为10 mm处,20 Vpp驱动电压下最大输出声压级约为75 dB.测试结果显示该氮化铝压电微扬声器在耳机、智能手机和可穿戴设备等方面都具有潜在的应用前景. 相似文献
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4月17—18日,2009年度全国互联网协会工作会议在成都召开。中国互联网协会胡启恒理事长出席会议并致开幕辞,高新民副理事长主持会议。来自全国31个省、自治区、直辖市互联网协会、中国互联网协会11个工作委员会、协会秘书处各部门负责人出席会议,四川省通信管理局局长、省互联网协会理事长王钢致辞。 相似文献
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利用激光熔覆技术在Q235钢基体表面分别制备出添加不同质量分数Y2O3的AlCoCrFeNi高熵合金涂层。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、显微硬度计和摩擦磨损试验机对AlCoCrFeNi高熵合金涂层的微观组织、硬度及摩擦磨损性能进行了分析。结果表明:AlCoCrFeNi高熵合金涂层由面心立方结构(FCC)和体心立方结构(BCC)两相构成;随着Y2O3质量分数的提高,其体心立方结构相体积分数增加,而面心立方结构相的体积分数变化呈相反趋势。AlCoCrFeNi高熵合金涂层组织由等轴晶构成,加入Y2O3后,促进了熔池流动,使气孔逐渐消失,致密性提高,晶粒明显细化。添加质量分数5%Y2O3的涂层组织呈树枝晶状,形成弥散分布的YAl2和Y2O3相;涂层的显微硬度可达HV 350,约为AlCoCrFeNi高熵合金涂层硬度的2倍,强化效果明显。Y2O3的添加有利于促进涂层中体心立方相的形成和YAl2相的析出,能有效提高高熵合金涂层的硬度及耐磨性能。 相似文献
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分析了金澳科技(湖北)化工有限公司2×10~4 t/a硫磺回收装置排放烟气中SO_2含量超标的原因,并采取了相应的改造措施,主要包括:①将液硫池废气由尾气炉改至燃烧炉;②更换更高效的脱硫溶剂;③更换有机硫水解能力更强的催化剂;④在尾气吸收塔后串联1台尾气碱洗塔。在实施①②③及优化工艺参数的前提下,排放烟气中SO_2质量浓度小于100 mg/m~3。 相似文献
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建立食源性致病菌快速高效的检测新方法和策略对控制食源性疾病的爆发至关重要。样品前处理是快速筛选病原体的关键步骤。常规食源性致病菌检测技术通常需要前增菌和选择性分离等预处理过程才能达到提高目标细菌浓度的目的,耗时长且灵敏度低。免疫磁分离技术(immunomagnetic separation,IMS)是一种能够在较短时间内从复杂食品样品中分离和浓缩目标病原菌的技术,已被应用于多种食源性致病菌的检测。本文综述了IMS在食源性致病菌检测中的应用,重点阐述了IMS作用原理、影响IMS效果的因素以及结合其他检测技术在食源性致病菌快速检测中的最新应用研究,以期为该技术更深层次的应用研究和我国食品安全快速检测技术的发展提供理论支持。 相似文献
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细菌在环境胁迫下能够进入一种“活的非可培养态”(viable but nonculturable state,VBNC),常规的平板培养方法无法检测出该种状态细菌,但其仍具有可测量的代谢活性,能够在适合的条件下复苏并产生毒力。乳及乳制品因其含有丰富的营养物质而成为理想的细菌培养基,其中几种常见的食源致病菌如副溶血性弧菌、空肠弯曲杆菌、金黄色葡萄球菌、单核增生李斯特氏菌、阪崎肠杆菌等也被证实能够进入VBNC,对乳及乳制品品质安全造成严重威胁。因此,本文综述了VBNC细菌的研究进程和细胞形态、毒力等生理学特性,并介绍了乳及乳制品中几种常见VBNC致病菌的诱导与复苏因素及其检测方法。通过对VBNC细菌的综述进而为乳及乳制品中致病菌研究提供新思路,以期减少乳及乳制品中该状态致病菌对公共安全的威胁,提升乳及乳制品中生物性安全水平。 相似文献
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本文介绍了用于测量微小压力或流速的硅杯型集成传感器。它将敏感元件与信号放大电路以及恒流供电电路都集成在同一芯片内,实现了硅杯型压力传感器的单片集成。该集成传感器有较小的体积和较高的灵敏度,可用于测量小区域内的压力及流速分布情况。 相似文献
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本文介绍我们最近研制的一种硅基集成微马达。其制作工艺非常简单,仅包括四次光刻,两次多晶硅薄膜淀积和两次SiO2牺牲层淀积。实现了快速、方便及批量地制作测量分析用的微马达样品。该微马达转子和定子由厚度为2.5μm左右的LPCVD多晶硅膜一次形成,因而转子与定子的间距可减小到1.0 ̄1.5μm。 相似文献