Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Fe5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。     

Photoelectric properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by thermal evaporation

正Sn/Cu/ZnS precursor were deposited by evaporation on soda lime glass at room temperature,and then polycrystalline thin films of Cu_2ZnSnS_4(CZTS) were produced by sulfurizing the precursors in a sulfur atmosphere at a temperature of 550℃for 3 h.Fabricated CZTS thin films were characterized by X-ray diffraction,energy dispersive X-ray spectroscopy,ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometry,the Hall effect system,and 3D optical microscopy.The experimental results show that,when the ratios of[Cu]/([Zn]+[Sn]) and[Zn]/[Sn]in the CZTS are 0.83 and 1.15,the CZTS thin films possess an absorption coefficient of larger than 4.0 x 10~4 cm~(-1) in the energy range 1.5-3.5 eV,and a direct band gap of about 1.47 eV.The carrier concentration,resistivity and mobility of the CZTS film are 6.98 x 10~(16) cm~(-3),6.96Ω-cm,and 12.9 cm~2/(V-s),respectively and the conduction type is p-type.Therefore,the CZTS thin films are suitable for absorption layers of solar cells.     

校车监控终端系统的设计与实现

针对校车经常发生交通事故的现状,提出了校车监控终端系统的设计方案。该系统以处理器S3C6410为硬件核心,以WinCE6．0操作系统为软件平台,通过USB摄像头实现视频采集并对校车进行无线网络实时监控;该系统也利用MMA7361L加速度传感器和STC12C5410AD单片机采集加速度信号,监控服务器端可通过设定加速度报警阈值来控制加速度的输出,实现了校车的加速度测量与监控。     

用热蒸发法制备的Cu2ZnSnS4 薄膜的光电性能

在室温下用真空热蒸发法在玻璃基片上制备Sn/Cu/ZnS 前躯体膜层,然后对其在550C 下在硫气氛中硫化3小时以制得Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) 多晶薄膜。对该薄膜进行X射线衍射（XRD）、能量色散X射线光谱（EDX）、紫外可见近红外分光光度计、霍尔测量系统和3D光学显微镜等分析测试。实验结果表明,当[Cu]/([Zn] [Sn]) =0.83和[Zn]/[Sn] =1.15时,该CZTS薄膜在光子能量范围在1.5 - 3.5 eV 时其吸收系数大于4.010₄cm_-1 ,直接带隙为1.47 eV。其载流子浓度、电阻率和迁移率分别为7.9710₁₆ cm_-3, 6.06 Ω.cm, 12.9 cm₂/(V.s), 导电类型为p型。因此,所制备出的CZTS 薄膜适合作为太阳电池的吸收层材料。     

用纳米WO3制作NOx气敏元件

在主体材料WO3中掺入适量的SiO2可制得平均粒径为37nm的敏感材料，用该材料制作的气敏元件对NOx具有较高的灵敏度和较好的选择性，响应／恢复时间较快。     

基于Dj ango的快件揽收服务器的开发与应用

提出了一种基于Dj ango的快件揽收服务器，该服务器通过快件的智能投递和快件的统一收取来提高快件收发的效率。文中详细描述了基于Dj ango的快件揽收服务器的搭建和实现过程，为相关产品提供了一套很好的解决方案。对所设计的服务器进行模拟测试，其测试结果达到了设计目标。     

基于电流时间序列的光伏故障在线监测系统

光伏阵列由于长期工作在恶劣的自然环境中,难免会发生各种故障,有必要对光伏阵列进行故障在线监测。因此本文基于DSP设计了一种在线监测系统,并采用一种基于电流时间序列的光伏阵列故障检测方法。该方法首先定义了一个时间序列滑动窗口(time series sliding window,TSSW),然后计算滑动窗口内每一个点相对应的局部离群因子(local outlier factor,LOF)。一旦出现的连续离群点数超过设定的阈值,就可判断该组串出现故障。实验结果表明,提出的故障检测方法能够对光伏阵列短路、局部阴影和开路故障组串进行检测,同时系统也能够对光伏电站直流侧的电流、电压以及温度和辐照度进行实时监测。     

La掺杂Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能研究

铪基氧化物薄膜在超薄膜厚下仍具有优良的铁电性能,非常适用于高密度集成的铁电存储。La掺杂铪基薄膜拥有极为优异的循环写擦特性,但其剩余极化强度(2Pr≤35μC/cm²)还有待进一步提高。本研究采用原子层沉积(ALD)制备La掺杂的Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜(HZLO),通过快速热退火(RTA)对样品进行500℃、550℃和600℃的热处理,研究La掺杂及退火温度对TiN/HZLO/TiN/W结构铁电性能的影响。研究表明,La掺杂促进薄膜四方相转变为正交相,剩余极化强度(49.8μC/cm²)获得极大提高。此外,La掺杂还降低了器件矫顽场(～1.25 MV/cm)并改善矫顽电场对称性。随着退火温度升高至550℃,正交相占比升高至～77%,剩余极化强度高达49.8μC/cm²,而进一步升高退火温度至600℃,正交相、四方相和立方相朝着单斜相转变,器件剩余极化强度降低。     

基于混合灰色关联分析-广义回归神经网络的 光伏电站短期功率预测

随着大规模的光伏发电接入电网,其输出的随机性和波动性给电网调度管理带来巨大的挑战。基于此,本文提出了一种同时考虑统计(历史光伏输出功率)和物理(历史和未来的气象信息)变量的混合灰色关联分析-广义回归神经网络预测模型。首先,计算多元气象因子与光伏发电功率的皮尔逊相关系数,将相关系数较高的气象因子确定为建立预测模型的气象输入因子;然后,采用灰色关联分析算法计算历史日与待预测日的关联度确定最佳相似日,选取最佳相似日的光伏输出功率和气象输入因子以及待预测日的相关气象参数作为广义回归神经网络模型的输入参数,得到待预测日各个时刻输出功率的预测值;最后,利用澳大利亚DKA太阳能中心网站所提供的光伏电站历史气象数据和功率数据对所设计的模型进行训练和测试,验证模型在不同季节下的预测效果。结果表明,与所选择的对比模型相比,本文所建模型具有较好的预测性能。