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主要从电刷-导电环材料配对和工作环境两方面探讨了电刷-导电环电接触滑动摩擦副使用寿命的影响因素,认为其使用寿命是多种因素综合作用的结果,包括电刷-导电环配对材料的选择,周围气体环境和湿度环境,电接触摩擦副的压力以及相对滑动速度,电刷的加工方法和烧结密度及其中石墨的含量、晶粒大小和晶粒取向等。对于获得高可靠长寿命的滑环具有一定的指导意义。 相似文献
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本文叙述了一个X波段的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管放大器的设计和性能。该放大器在8.0~12.0千兆赫的频率范围上在典型噪声系数为5.5分贝(最大为6.9分贝)时增益达到20±1.3分贝。输入和输出端的电压驻波比不超过2.5:1。1分贝增益压缩的最小输出功率为 13分贝毫瓦。讨论了实际的宽带耦合网络的设计,这些网络在整个X波段内使放大器的噪声系数最小并保持恒定的增益。 相似文献
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实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的虚部用电抗补偿器转换成任意电阻,然后再用分节阻抗变换器转换成50欧姆特性阻抗。对于采用 f_(max)-15千兆赫砷化镓场效应晶体管的放大器,在6.5千兆赫时得到2千兆赫1分贝带宽和5分贝的增益,且其值大致与计算值相符。己实现7分贝的噪声系数。 相似文献
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用弛张法计算了新带线[即:由在介质衬底上单条或双条中心带状导体、接地板和介质衬底外的接地导体构成的一种共平面型带线(CPS)]的特性,并确定了CPS的特性。 CPS的优点有:(1)CPS是屏蔽型的带线,因而它适合于有源电路;(2)因为有接地板存在,所以和通常的带线相比较,其特性阻抗和相速比变小;(3)它容易连接分路元件;(4)它可用于非互易磁控器件中;(5)它的边壁影响和其它电路靠近中心导体时的影响比普通带线要小。 相似文献
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叙述了从直流以及1兆赫电容和1兆赫电压增益来确定微波砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)的等效电路参数的测量技术。用该技术确定的商用的1微米栅长GaAs MESFET的等效电路参数与从2~4千兆赫下测量的散射参数推导的参数作了比较。 相似文献
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