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采用熔炼-粉碎法制备了P型Bi2Te3基赝三元热电合金粉体,粉体经筛分后,用热压法制备了(Sb2Te3)0.75(1-x)(Bi2Te3)0.25(1-x)(Sb2Se3)x样品.通过X射线衍射和扫描电镜对样品进行表征.结果表明:在热压烧结样品中,出现了晶粒的(0001)面垂直于压力方向的明显取向,垂直于压力方向是热压样品的高热电优值方向.在一定的热压压力下,样品的电导率和温差电动势率都随温度的增加而增大.在一定的热压温度下,随着压力的增加,样品的电导率增加,而温差电动势率变化不大.最好样品的热电优值达到2.78×10-3/K. 相似文献
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P3H间歇熏蒸Rf值分别为15和50倍的PH3抗性谷蠹和锈赤扁谷盗。第一次施AlP片剂3g/m^3,保持PH3在0.12mg/L以上的时间为168-336h,第二次再施3g/m^3,保持198-366h,Ct积分达120.90和259.49mg.h/l,有效地防治了PH3抗性谷蠹和锈赤扁谷盗。 相似文献
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