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为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2~3年来我们在这方面所取得的一些结果。 C-V特性是研究电极/电解液界面特性 相似文献
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目前我们常用的消毒剂有漂白粉、次氯酸钠、三氯异氰尿酸等含氯制剂和甲醛、戊二醛、新洁尔灭、过氧乙酸等消毒剂。这些消毒剂使用后会产生三卤甲烷、氯胺、氯酚等有机卤毒物,对人体及环境污染危害很大。对此,一种新型消毒剂稳定性二氧化氯的开发,避免了人类氯制剂的危害和环境的影响,对人类健康事业带来了福祉。 相似文献
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InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓度,外延层厚度和P—N结位置等参数。电化学C—V法是70年代发展起来的一种新方法,它利用适当的电解液作为可控阳板溶解的介质,同时与半导体形成Mott-Schottky接触,达到连续浓度分布测定。该法在测量GaAs材料特性方面已有较大的进展,最近Ambridge报导了n—InP材料的浓度与分布测量结果。但对于多层异质结材料的载流子浓度分布尚未见报导。本文以GaInAsP/InP双异质结液外材料 相似文献
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掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc. 相似文献
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垃圾渗滤液是一种处理难度较大、溶质浓度较高的有机废水。该类废水的水质、水量变化较大,其成分十分复杂,而且会随着掩埋时间的增加而变化。目前,我国对垃圾渗滤液处理的方法并不成熟,且处理效果也较差,而电化学氧化法是一种新型的、有效处理垃圾渗滤液的技术。基于此,本文对该技术的处理效果进行了探讨,并分析了处理垃圾渗滤液的理想参数,以期为相关行业与从业人员提供借鉴。 相似文献
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电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度分布测量的影响.在研究半导体和溶液种类的影响时,发现在同一种溶液中,各种GaAs的C-V特性均能符合Mott-Schattky方程式.在上述结果的基础上,我们将电化学C-V法成功地应用于测定P-N,高-低-高结构,GaInAsP发光材料和离子注入样品的载流子浓度分布,得到了满意的结果. 相似文献
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本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采用拟合和外推两种方法测定扩散长度L_p,已测得的各种半导体材料扩散长度分别为GaP(N_D=3.9 × 10~(19)cm~(-3))L_p= 0.036μm,GaAs(N_D=7 ×10~(17)cm~(-3))L_p=0.8μm,GaAlA_s(N_D=8 ×10~(16)cm~(-3))L_p=0.1μm. 相似文献