特高压输变电系统绝缘子紫外放电数据管理及故障诊断系统设计

绝缘子的运行状态直接关系着特高压(UHV)电网的稳定性,绝缘子在运行过程中会出现绝缘性能下降同时伴随着表面放电,可以用紫外(UV)成像仪对其运行状态进行检测。根据直流特高压工程技术国家工程实验室(昆明)的设计要求开发了一套紫外数据管理系统,采用Delphi7作为管理系统开发软件,SQL Server2000作为后台数据库,运用模块化开发思想,建立了基本信息管理、图像处理、紫外视频播放和报表生产等功能模块,运用数学形态学提取紫外光斑中的放电参数。通过喷水分级法在现场选择了正常、良好、微孔、劣化和严重老化5种绝缘状态的同一种绝缘子,提取了"光斑直径"和"光斑面积",通过MATLAB数字仿真,得到了这2种参数随绝缘状态的变化趋势,结果表明:绝缘状态良好时,光斑面积<250(像素点),光斑直径<15(像素点);出现微弱放电时,光斑面积在12 000(像素点)左右,光斑直径在130(像素点)左右;当出现闪络,绝缘几乎丧失时,光斑面积>30 000(像素点),光斑直径>250。该软件为绝缘子运行状态的评估提供了量化依据和一定的指导。     

高海拔地区±800kV特高压直流输电系统绝缘子带电自然积污特性

为了研究特高压直流绝缘子的自然带电积污特性,进行了全电压全尺寸特高压直流绝缘子积污特性试验。测定了绝缘子的等值盐密(ESDD)、等值灰密(NSDD),分析了不同材质(复合硅橡胶、玻璃、瓷)的绝缘子串,不同串型(I悬垂,V悬垂,耐张)的绝缘子串,不同伞形结构(复合伞裙、钟罩、三伞、瓷长棒)的绝缘子串,以及绝缘子伞裙上下表面和沿绝缘子串不同位置(高压侧、地侧、中间)的积污状况。初步结果表明:不同材质绝缘子串中瓷绝缘子积污最轻;不同串型的绝缘子串中耐张串积污最轻;不同伞形结构绝缘子串中瓷长棒绝缘子是最小积污伞型;伞裙上下表面污秽状况差异巨大,绝缘子杆塔侧积污最重。研究结果可为我国高海拔地区(特别是昆明地区)特高压直流输电工程的外绝缘提供重要的参考。     

绝缘子紫外光斑测量法的改进

对绝缘子运行中出现的绝缘性能下降、同时伴随着表面放电,可以用紫外成像仪进行检测。采用了紫外光斑面积作为目标参量,用来作为评估放电强度的标准。通过搭建实验平台,分别用阈值求和法和拟合法对同一目标进行了计算,在规定标准参考量的前提下,对二者进行了MATLAB数值仿真,结果表明:阈值求和法计算所得的参数与规定的参考量在走势上存在较大的差异,分离度及误差较大,反映在图中就是二者的间距较大;拟合法计算的数据在走势上与规定参考量的走势吻合度较好,分离度较小,误差较小,反映在图中就是两条曲线的间距较小,精确度明显提高。     

行业信息

行业信息锡山市钢丝绳厂喜获四张证书锡山市钢丝绳厂为实现“满足用户需求”的质量方针和“领先国际水平、创立世界名牌”的质量目标，建立了符合ＩＳＯ９００２质量保证体系。１９９５年１２月通过了法国ＢＶＱＩ国际认证公司、中国船级社质量认证公司“联合认证”。今年...     

河北省水利工程局专稿:典型篇——请看来自河北省水利工程局的建设发展系列报道之五

发展是硬道理。那么，对于一个地区、一个系统、一个部门、一个单位来讲如何发展呢？由于对象、环境等主观和客观条件的不同，谋求发展的途径和目标也不一样。河北省水利工程局在发展中，通过发现典型、培育典型、利用典型、宣扬典型，充分发挥典型示范、引导和辐射作用，推动全局，收到实效。现将该局第八工程处“以人为本，铸造‘铁军’”这个典型奉献给大家，一睹为快。     

基于灰关联算法分析环境因素对高海拔±800kV线路绝缘子泄漏电流的影响

为分析环境因素对±800kV直流绝缘子泄漏电流的影响,在特高压直流带电考核场对±800kV全尺寸线路绝缘子进行了长期带电考核。统计了3种材质(瓷、复合、玻璃)±800kV线路绝缘子在自然积污条件下的泄漏电流,利用灰关联算法计算了环境因素(环境湿度、温度、温度变化率)与绝缘子泄漏电流间的关联度,找出了影响泄漏电流的主要因素。分析结果表明:影响特高压直流绝缘子泄漏电流的环境因素主要为环境湿度,其中叶面湿度与泄漏电流关联度最大;温度变化率对泄漏电流的影响比温度大;不同时间段内泄漏电流与环境因素的关联度类似。     

248nm紫外激光照射高温硫化硅橡胶实验及老化机理探讨

高温硫化硅橡胶(high-temperature vulcanizationsilicone rubber,HTV)通常作为特高压直流输电的复合绝缘子的外套材料,而其老化问题是危害输电线路可靠性的重要原因之一。文章通过248 nm紫外激光照射HTV进行了加速老化试验,并对照射前后样品进行了接触角、扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)、傅里叶红外变换光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)以及X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)测试。结果表明:在紫外激光照射下,样品接触角呈减小趋势;材料表面出现浅坑,粗糙度变大,部分填充物外露。结合FTIR和XPS的结果,初步探讨了紫外老化机理,分析认为:照射后的样品中有部分C-H键、Si-CH3键和Si-O-Si键被打断而形成自由基,同时形成了亲水性-COOH或者-CH2OH;在含氧气氛中,O和Si交联形成了SiOx(x=3或4)。紫外激光照射HTV造成了其物理老化和光氧化老化。     

第三代移动通信系统中W—CDMA与cdma2000的理论及实施草案（一）

ＩＴＵ在１９８６年就开始了对全球化个人通信的研究,并且确定了用于未来第三代（３Ｇ）移动无线通信系统的长期频谱需求,这些３Ｇ移动通信系统有望提供各种业务的全球范围的接入及全球漫游。详细介绍了Ｗ－ＣＤＭＡ、ｃｄｍａ２０００以及ＵＷＣ１３６这三种提交的３Ｇ空中接口的技术细节,这些空中接口覆盖了所提交提案的主要特性。还重点给出了ＥＴＳＩ在３Ｇ舞台上的活动,并且提供了有关未来无线宽带多址系统（ＦＲＡＭＥＳ）