情系薄山——访原水利部副部长张季农同志

无论发生在昨天,还是今天,人们都不会忘记——为了消除水患,让淮河人民过上幸福美满的生活。他们曾风为伴,雨相随,顶酷暑,战严寒,在薄山水库苦战了600多个日日夜夜。     

按照市场经济规律 发展水利经济

近几年来,江苏省水利系统广大干部职工在邓小平理论和党的十五大精神指引下,进一步解放思想,深化改革,加大协调力度,推进两个根本性转变,全省水利经济保持了良好的发展势头。1997年,全省水利综合经营完成总收入150多亿元,利税10.2亿元,分别比1996年增长16.4％和8.5％。苏州、无锡、常州三个市总收入     

智能小车控制系统设计

以16位低功耗单片机MSP430F5438为控制核心,以直流电机作为驱动的动力,设计了智能小车并采用脉宽调制(PWM)方式实现对车速的准确控制;使用灰度传感器来检测起点/终点标志线及转弯/超车标志线;在超车区使用超声波传感器来测量两辆小车之间的距离,并在轨道的超车区内进行超车;使用无线通信模块来进行两车之间的超车通信,有效避免两车相撞并顺利实现超车;用电子指南针模块来对两小车进行精确定位及转弯控制和在行车道上方向的校正.通过对样机进行了测试,结果表明:智能小车可以实现单车绕圈行驶、两车防撞前后行驶、两车在规定的区域完成超车等功能,且其性能稳定、抗干扰性强,在无人驾驶系统方面得到广泛应用.     

基于Python的Abaqus二次开发在层压板修理模拟中的应用

为加快复合材料层压板单面贴补参数设计的效率,利用基于Python的Abaqus二次开发技术,开发针对复合材料层压板单面贴补修理的快速建模及后处理程序.结果表明,程序能够通过输入单面贴补设计参数便捷地创建模型,并且计算结束后能通过快速后处理程序自动提取所需的数据和信息.该程序能够针对单面贴补修理母板的长度、宽度、单层厚度、层数和铺层顺序,补片的层数、直径和铺层顺序,以及复合材料单向预浸料和胶膜的性能等参数进行设计分析.用该程序计算得到的易破坏位置和破坏模式与试验结果的误差小于10%,证明该程序可行.     

测量型低压电流互感器的品牌及选择

本文首先对电流互感器和测量型低压电流互感器术语做了解释,接着,讲解了测量型低压电流互感器的品牌型号和产品分类,最后进行了实例列举。     

基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.     

浅谈发电企业财务预警机制的建立

财务预警机制的建立是企业以信息化为基础而建立的财务管理体系。财务预警机制的作用包括财务监测、财务诊断、财务整顿治理、财务稳健运作的作用。财务预警机制的构建包括组织机构、工作手段及内容。本文对财务预警机制的含义、作用、构建进行了详细论述,提出了充分发挥财务预警和作用的必备条件,以期对发电企业财务预警机制的建立起到促进作用。     

石墨炉原子吸收法测定湘江水中的钡

采用石墨炉原子吸收法测定湘江水中的钡,通过一系列的实验表明,该方法检测湘江水中钡的检测线性范围为0~40 g/L,加标回收率为94%~98%,检测相对误差小于5%,检出限为0.022 g/L,远低于地表水国家标准下限0.7 mg/L,结果表明该方法可用于湘江水中钡含量的测定。     

激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究

采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上.GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合.采用脉冲宽度30 ns、波长248 nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380 mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移.样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构.对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响.     

GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.