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1.
覆盖层的抛掷爆破是用爆炸力量将爆破岩石定向抛到预定废石堆而不需再行整理废石堆的新技术,其优点是可节省重整理和搬运废石的时间与费用,抛掷之后即可马上开始下一循环的作业。任何开采作业中抛掷爆破的成功取决于若干相互作用的因素,如凿岩爆破方案、爆破岩层的外形、废石堆位置、空气阻力及经  相似文献   
2.
等离子喷涂Al2O3陶瓷涂层的工艺研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
采用SprayWatch-2i粒子测速仪测定等离子喷涂时粒子的飞行速度及温度,确定最佳喷涂电流和电压参数,改变送粉方式和送粉速率制备Al2O3涂层.研究所制备涂层的孔隙率、显微硬度、耐磨性及结合强度,研究结果指出:影响Al2O3涂层质量的主要工艺参数为喷涂功率、送粉方式和送粉速率,等离子喷涂10~40μmAl2O3粉末制备Al2O3陶瓷涂层的最佳工艺参数为电流600 A、电压60 V、枪内送粉、送粉速率10.25 g/rmin.  相似文献   
3.
铸铁表面化学镀Ni-P合金络合剂的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
冯拉俊  雷阿利 《铸造技术》2005,26(8):676-678
针对化学Ni-P镀过程中镀液稳定性差、使用寿命短、沉积速率低和pH范围窄等问题,采用对比实验和正交实验方法,以镀速、孔隙率、稳定性和镀层硬度为评价指标,研究了乳酸、苹果酸、柠檬酸和丁二酸络合剂及复合络合剂对镀液和镀层性能的影响.研究得到最优的铸铁表面Ni-P镀的复合络合剂配方为:乳酸20ml/L,苹果酸9g/L,丁二酸6g/L.此复合络合剂配方配制化学镀镍液可使镀速达到14.5μm/h,孔隙率降至0.45个/cm2,稳定性提高到3500s,硬度达620HV.  相似文献   
4.
雷阿利  唐文浩 《铸造技术》2007,28(7):965-967
采用棒材等离子喷涂法制备Fe72Cr8P13C7非晶态合金涂层,分析了涂层的组织,测定了晶化温度、显微硬度和结合强度,采用扫描电镜观察涂层的微观形貌和截面形貌,能谱分析涂层正面和截面的成分变化。结果表明,涂层组织致密,均匀,Cr、P在涂层中片状结构表面有富集现象,涂层与基材之间有冶金结合、机械结合的成型特征。  相似文献   
5.
作为分布式计算的下一代产品.Web Services技术具有平台独立性和语言独立性特点.解决了传统分布式计算技术难以解决的问题--异源应用程序之间的相互操作性.介绍Web Services的体系结构和关键技术.设计并实现了一个基于Web Services的学籍管理系.  相似文献   
6.
基于CPSO的二维Otsu图像分割法   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
王忠  付阿利 《计算机工程》2009,35(19):206-209
二维Otsu方法同时考虑了图像的灰度信息和像素问的空间邻域信息,图像分割效果好但算法计算量较大。针对上述情况,提出一种基于混沌粒子群优化算法(CPSO)的策略,将其用于二维Otsu方法中,并与标准粒子群优化算法(SPSO)进行仿真实验对比。实验结果表明,该方法可以提高分割速度,克服SPSO的缺点,图像分割结果较理想。  相似文献   
7.
选用环氧树脂为成膜物质,石墨为导电介质制备抗静电耐蚀涂料,利用失重法研究了温度、石墨及含硫质量分数对涂料耐蚀性的影响,利用电阻法研究了石墨质量分数对涂料导电性的影响及涂料导电的时效性。结果表明,使用环氧树脂填充石墨制备抗静电耐蚀性涂料是可行的,石墨质量分数为35%~50%,其体积电阻率为105.85~105.66Ω.m,满足GB13348-1992《液体石油产品静电安全规程》,温度对涂料电阻影响较小,电阻率随时间变化不大;在含硫质量分数为3%的高硫油介质中,室温时石墨质量分数为35%的涂层耐蚀性较好;温度在50~70℃时,石墨质量分数为45%~55%的涂层耐蚀性较好,原油中含硫质量分数的变化对环氧石墨抗静电涂料的耐蚀性影响较小。  相似文献   
8.
奥氏体不锈钢焊接接头在含硫介质中的腐蚀性   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用恒电位极化曲线法及金相显微分析方法,研究了奥氏体不锈钢手弧焊焊接接头在含Na2S溶液中的腐蚀行为.结果表明,采用A102焊条的焊缝,其耐蚀性优于A307焊条焊缝;20℃条件下,Na2S质量分数的增加加速腐蚀反应的阴、阳极过程;在Na2S质量分数一定的条件下,温度升高到80℃时,在阳极极化区有钝化现象.  相似文献   
9.
关于CaCu3Ti4O12陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu3Ti4O12陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu3Ti4-xAl0.5xNb0.5xO12,x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。  相似文献   
10.
筛选了发黑-磷化法制备黑色化学转化膜的配方;通过对黑色化学转化膜的性能检测,扫描电镜观察外观形貌,能谱仪分析成分;指出最佳发黑-磷化法制备黑色化学转化膜的工艺为:先常温发黑后中温磷化,发黑液中铜与硒的比例接近1,磷化液中总酸度与游离酸度之比约为10。  相似文献   
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