牛皮铬鞣废液循环过程中关键成分及水质特征分析

针对铬鞣废液循环工艺技术在某制革企业工业化应用的实际效果进行了跟踪研究,研究中对连续循环30次铬鞣废液中总铬、Cl-和SO42-含量的变化,水质污染特征和蓝湿革收缩温度的动态变化进行了监测。结果表明:总铬含量在前15次循环有上升趋势,后期基本稳定;Cl-含量在循环15次前有所下降,后期稳定在17~18 g/L;SO42-含量基本处于稳定状态,约600 mg/L。铬鞣废液在循环30次后水质污染特征分析结果显示:循环前期CODCr含量逐渐上升,在循环15次后趋于平衡;NH4+-N在循环15次后稳定于400 mg/L左右,30次后约200 mg/L;铬鞣废液TOC含量稳定在1 000~1 400 mg/L,基本上呈现先上升后期稳定的趋势。铬鞣废液分别在循环第15次、第10次以后未检出六价铬的存在,且循环后鞣制的蓝湿革收缩温度均在95℃以上,耐湿热稳定性良好,基本满足后期应用条件,实践证明本试验所用铬鞣废液循环利用工艺技术是安全环保可行的,且风险较低,对后期的推广具有重要意义。     

柔印CTP助力中国标签制版数字化

<正>一、柔印CTP现状柔印C T P一般有两个方面要求。一是激光成像部分,解像度要达到4000 dpi,网点成像清晰,平网每个网点大小一致;二是操作部分,力求简单、安全、易用,尽可能节约用版。目前国内柔印C T P设备均为进口设备,供应商主要有艾司科、柯达、网屏。其中艾司科设备是由凹印激光雕版技术转换而来,柯达、网屏设备均是胶印CTP技术的成功转换。     

一种用三维场仿真软件模拟二极管的新方法

提出了一种利用三维场仿真软件Ansoft HFSS模拟二极管的新方法,解决了常用的仿真软件无法模拟利用场的正交性来构成平衡结的一类空间混合集成电路的问题.利用该方法,可在场仿真软件中直接进行该类型电路的整体设计和仿真,提高了设计的效率和准确性.利用Ansoft HFSS中的阻抗边界代替二极管,将阻抗边界的值设定为二极管的阻抗值,进行其匹配电路的仿真设计.制作了一款U波段鳍线单平衡混频器,在40～60GHz频率范围内,混频器射频端口回波损耗的测试结果与仿真结果吻合良好,验证了该方法的可行性.     

基于ANSYS的弹性油箱特性有限元分析及试验

利用商业有限元软件ANSYS对推力轴承支撑用弹性油箱充初压下的上升量、额定载荷下的压缩量、额定载荷下的箱体应力和额定载荷下的内腔油压特性有限元等效分析计算。在此基础上,自主设计了弹性油箱试验检测装置,对上述各项性能特征参数进行了检测,并将检测结果与分析结果作了对比分析,进而验证了该分析方法的精确性。     

达岱河水轮发电机定子线棒制作工艺

介绍了柬埔寨达岱河机组定子线棒结构特点,重点研究了定子线棒新工艺和真空压力浸渍;采用真空压力浸渍系统提高了生产效率、电气绝缘性能、机械性能、耐热性能等,可使产品质量稳定;通过对产品的胶化线棒固化模新工装的改进,提高了产品质量和产量;定子线棒成型时采用进口设备成型;进而形成一套完整的定子线棒制造体系。     

一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型

提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性。并将该模型应用于一款0.25 μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性。     

高吸收铬鞣助剂PEGA的制备及应用

以甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯(PEGMA)和丙烯酸(AA)为单体,采用自由基共聚的方法,合成了一种多羧基的共聚物PEGA(poly(PEGMA-co-AA)).通过FT-IR、1H NMR和GPC对PEGA的分子信息进行了解析,并将PEGA作为高吸收铬鞣助剂与2.0％的铬鞣剂进行鞣革应用.研究结果表明,PEGA共聚物的聚乙...     

四老沟矿特厚煤层综放工作面综合防灭火技术

针对四老沟矿特厚煤层综放工作面采空区遗煤自燃问题,提出了一套综合防灭火技术,通过采取端头堵漏、弱负压通风、采空区注氮、注阻化剂、加强气体监测等一系列安全技术措施,有效控制了工作面自然发火,取得了较好的应用效果。     

富春江水力发电厂2#转子支臂处理工艺

针对富春江2#机转子支臂焊缝裂纹的修复工艺。     

GaN HEMT栅工艺优化及性能提升

针对0.5 μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度并提高栅金属对氮化硅槽填充的完整性;软着陆部分则以极低的偏置功率对氮化硅进行过刻蚀,确保完全清除氮化硅的同时尽量减小沟道损伤。通过器件优化前后各项特性的测试结果对比发现：优化后的器件关态击穿电压从140 V提升至200 V以上,3.5 GHz下输出功率密度从5.8 W/mm提升至8.7 W/mm,功率附加效率(PAE)从55.5%提升至66.7%。无偏置高加速应力试验96 h后,工艺优化后的器件外观无明显变化,最大电流变化<5%,表明器件可靠性良好。