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1.
毛羽是衡量纱线质量的重要指标之一,细纱和络筒工序对纱线毛羽的影响最大。在ESPERO-M型自动络筒机上进行毛羽控制纺纱实验,探讨了络纱速度、络纱张力及管纱大小对3种不同纱支纱线毛羽的影响。结果表明,在一定范围内,纱线毛羽随着络纱速度增加而增加;纱线毛羽数并不完全随张力增加而增加,当纱线控制器气压在50~80mbar之间时,纱线有害毛羽随张力的增加先减后增;当管纱由顶端退绕到底端时络纱毛羽增加。  相似文献   
2.
本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8~14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。  相似文献   
3.
刘勇  陈洪钧 《电源技术》2012,36(3):444-445
综述了海军重要的水下兵器——电动鱼雷电池的研究进展。经过世界各国长期实践和检验,目前应用广泛的鱼雷电池主要有:锌银电池、镁/氧化银海水电池、先进的铝/氧化银电池和锂亚硫酰氯电池等。  相似文献   
4.
文中首次采用原子层沉积法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来制备了高反射率的背反射镜。制备的多层布拉格反射镜加Al镜和多层布拉格反射镜加Ag镜有很好的平整度和厚度的精确性,并且反射率高于96%。此外,TiO2/Al2O3布拉格反射镜和Al与蓝宝石衬底都有良好的粘合性,这样可以节省制备步骤并且可以得到高质量的背反射镜。利用原子层沉积技术和TiO2/Al2O3布拉格反射镜,我们得到了高反射率,角度依赖性小,更加稳定以及均一性更好的背反射镜,可以满足高亮度LED的需求。  相似文献   
5.
为了进行碳化硅(SiC)的光固化3D打印,本文提出采用表面氧化处理提升SiC浆料的光固化性能。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱等研究了SiC颗粒的氧化过程以及氧化温度与保温时间对氧化过程的影响;采用动态流变仪、紫外分光光度计、数字千分尺等研究了浆料的流变性能和光固化性能。结果表明:经表面氧化处理后的SiC颗粒紫外反射率有显著的提高,最高为48.11%,为未氧化SiC颗粒的1.8倍;配制的浆料光固化性能有明显的改善,曝光5 s时固化厚度最高为76μm,为未氧化的3.6倍。随着氧化温度的上升以及保温时间的延长,氧化层厚度持续增长,最高达到144.8 nm。考虑到过度氧化不利于后续SiC陶瓷的烧结成型,最终选择使用1100℃保温3.0 h的氧化SiC粉末,并以1%(质量分数)的KOS163为SiC浆料的分散剂,制备了固含量为45%(体积分数)的SiC浆料,成功实现了SiC陶瓷坯体的光固化3D打印。  相似文献   
6.
汽车行业管理信息系统使用多层体系结构进行设计可以降低软件模块的耦合度,提高软件的开发效率,降低 软件的维护成本。本文分析了多层体系结构中各层之间的关系,并根据不同的客户群体提出了不同的解决方案。  相似文献   
7.
网格圈是紧密纺纱技术的关键部件,其空隙的大小及织造密度的高低都对纱线的性能有影响。现分析不同目数的网格圈对不同线密度纱线性能的影响,同时探讨纺制不同线密度纱线对网格圈的选择。  相似文献   
8.
InGaAs可见/短波红外焦平面探测器新进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87 μm (GaAs)~3.5 μm (InAs)范围内变化。 InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用和可在常温下工作的特点,使其成为焦平面成像领域的研究热点。国际市场已有商业化产品,主要应用于民用、军用、航空、空间遥感等领域。在介绍In1-xGaxAs短波红外焦平面探测器的主要特性及研制进展的基础上,重点介绍了国际上在InGaAs光谱响应范围向可见光扩展的研究动向。  相似文献   
9.
首次采用原子层沉积法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来制备了高反射率的背反射镜。制备的多层布拉格反射镜加Al镜和多层布拉格反射镜加Ag镜有很好的平整度和厚度的精确性,并且反射率高于96%。此外,TiO2/Al2O3布拉格反射镜和Al与蓝宝石衬底都有良好的粘合性,这样可以节省制备步骤并且可以得到高质量的背反射镜。利用原子层沉积技术和TiO2/Al2O3布拉格反射镜,我们得到了高反射率,角度依赖性小,更加稳定以及均一性更好的背反射镜,可以满足高亮度LED的需求。  相似文献   
10.
由于汞压难于控制,碲镉汞液相外延中汞压的控制被认为是该工艺成败的关键之一。用充H_2和附加HgTe控制汞源形成所谓增压液相外延,能够有效地解决汞压控制问题。对此,本文从理论上作以定性的初步探讨,并且用该方法在(111)CdZnTe单晶衬底上外延生长出组分x=0.18的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶膜。  相似文献   
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