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适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用本征函数方法,采取一定的边界条件,得到了二维泊松方程的解析解.并由此导得适用于亚微米沟道MOS场效应管阈值电压的解析表达式.本解析模型未引进复杂的几何结构参数及经验参数,适用于不同的衬底反偏电压、漏极电压等条件.这些结果与数值模拟的结果以及有关实验的结果符合得较好,对短沟道MOSFET的设计及性能的了解有实际参考价值. 相似文献
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以‘巨峰’葡萄为试材,从其表面分离优势菌并鉴定其为大肠杆菌与考克氏菌,利用NaClO2与干冰间接反应开发一种气体二氧化氯(ClO2)处理方法以灭活葡萄表面优势菌,通过测定菌落总数对数值减少量评估气体ClO2对葡萄的杀菌效果,同时通过测定4℃贮藏30 d期间葡萄样品的色泽参数、果实硬度、质量损失率以及可溶性固形物含量评估气体ClO2对葡萄品质的影响。结果表明,气体ClO2处理对接种于葡萄表面的大肠杆菌与考克氏菌具有良好杀灭效果。当ClO2累积浓度从131μL/(L·h)提升至599μL/(L·h),大肠杆菌菌落总数对数值减少量从1.6(lg(CFU/g))升至3.5(lg(CFU/g)),考克氏菌菌落总数对数值减少量从1.0(lg(CFU/g))升至4.5(lg(CFU/g))。与对照组(S0)相比,经ClO2处理后贮藏30 d期间葡萄色泽并没有明显变化,与S0和低累积浓度处理组(S1)相比,高累积浓度处理组(S2)在4℃贮藏30 d后... 相似文献
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该研究采用过热蒸汽联合低温对银耳进行干燥,考察过热蒸汽温度(110、115、120、125、130 ℃)、转换时间(9、15、21、27、33 min)和低温温度(40、45、50、55、60 ℃)对银耳干燥特性的影响,分别采用6 种曲线模型对过热蒸汽阶段进行拟合和6 种常用干燥数学模型对低温干燥阶段进行拟合,建立银耳过热蒸汽联合低温干燥的动力学模型。结果表明,过热蒸汽温度和低温温度对银耳干燥过程均有影响,但低温温度对干燥过程影响较大,温度越高,干燥时间越短。银耳在联合干燥过程中经历升速、恒速和降速阶段,在过热蒸汽干燥过程,升速阶段非常短,主要经历恒速干燥阶段;在低温干燥过程全程为降速干燥阶段。在过热蒸汽干燥阶段,水分有效扩散系数随着过热蒸汽温度升高而增大,水分有效扩散系数介于4.966×10-8 m2/s ~8.836×10-8 m2/s,干燥活化能为35.625 kJ/mol;在低温干燥过程,水分有效扩散系数随着低温温度升高而增大,水分有效扩散系数介于3.213×10-8 m2/s ~6.718×10-8 m2/s,干燥活化能为34.836 kJ/mol。通过模型拟合发现,三次多项式模型可较好地描述银耳过热蒸汽干燥过程;Logeriyhmic 模型可以较好地预测银耳在低温阶段的干燥过程。 相似文献
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利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好. 相似文献
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本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型. 相似文献
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