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协调作为一个重要的概念广泛地出现在多个学科和社会经济领域,成为广大学者共同关注的一个研究课题。目前对于协调问题中依赖关系及协调策略的研究,多是做定性的表述,给出的一般都是非形式化的描述,这样不利于协调问题在计算机上的表述,难以实现协调问题的计算机求解。针对这一问题,利用形式化和图形化的建模工具Petri Nets对协调问题中的依赖关系进行研究,提出任务之间的依赖关系可以分为两类,基于资源的依赖关系和基于时间的依赖关系,并用Petri Nets对这些依赖关系进行了表述,为协调问题的可计算描述提供了一种新的思考角度。 相似文献
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对具有并行、分布式、开放、智能化和社会性等特点的复杂系统进行建模,一直是计算机应用、人工智能和社会学领域研究和关注的重点.多代理系统(MAS)思想的出现,为解决这一问题提供了可能.对两类主要的协调模型做了介绍,在描述、分析各自特征的基础上对它们进行了比较研究,探讨这两类协调模型的优缺点以及各自的适用范围,为选用适当的协调模型构建MAS提供了有益的参考. 相似文献
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应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017~1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2)、833cm-1(V3O2)、和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同. 相似文献
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研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si )和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ )的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大. 相似文献