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根据第一性原理的计算方法,利用超软赝势,优化了CuTlSe_2的晶体结构并验证了该方法的可靠性。通过分析CuTlSe_2的能带结构和光学性质表明:CuTlSe_2晶体是一种直接带隙半导体,在位于-12.19—-10.41 e V的低能带主要由Cu的3 d轨道贡献,在高能带-7.22—-5.59 e V,主要由来自Se原子的4 s轨道贡献;随着能量升高,Tl的电子态逐渐占据优势。在可见光范围内CuTlSe_2晶体有很强的吸收能力和较小的反射率,具有作为光电材料的潜力。 相似文献
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近年来,随着我国电力事业的快速发展,电网的规模以及结构逐渐扩大并且越来越复杂。这种情况下,电力系统中短路电流的容量也在不断变化。继电保护技术在电力系统中的应用重要性日益凸显。文章结合当前继电保护技术的发展状况,探索其在电力系统中的应用。 相似文献
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