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Wireless Personal Communications - Underwater Wireless Sensor Networks (UWSNs) are playing a vital role in exploring the unseen underwater (UW) natural resources. However, performance evaluation of...  相似文献   
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ABSTRACT

This study investigates the effects of strain, strain rates, and forming directions (RD-rolling direction, TD-transverse direction, and ND-normal direction) on adiabatic shear, via dynamic impact compression tests using the Split Hopkinson Pressure Bar (SHPB) apparatus. A modified Johnson-Cook (J-C) constitutive model is proposed, which used to analyse the influence of the constitutive parameters on the sensitivity of adiabatic shear, employing a finite element software. The different sensitivities of adiabatic shear under different directions are explained by combining microscopic analysis and results from mechanical responses. The results show that the sensitivity of adiabatic shear can be related to the time of stress collapse in the following trend: ND?>?TD?>?RD; the sensitivities of these constitutive parameters on adiabatic shear are calculated and compared.  相似文献   
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Software and Systems Modeling - Many model transformation scenarios require flexible execution strategies as they should produce models with the highest possible quality. At the same time,...  相似文献   
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Reactivity between SiC and Ir as a function of SiC-crystallinity was investigated by diffusion bonding technique under a vacuum and over the temperature range of 1200–1450 °C. As reaction products, various Ir-silicides and free unreacted-C were detected. Reactivity is strongly affected by the temperature and SiC-crystallinity involving a series of interactions, from “no reaction” to “massive exothermic reactions”. In particular, interfacial phenomena are more pronounced by the presence of defects and grain boundaries.Solid state reactions result in formation of fine C-precipitates rearranged in a quasi-periodic microstructure. On the contrary, clustering of highly ordered C-precipitates (C-graphitized) occurs after “massive reactions” take place.A relationship between the degree of graphitization (from 1 to multi-layers of graphene), temperature and SiC crystallinity was found by Raman spectroscopy. 2D-layering phenomenon is enhanced in polycrystalline SiC at high temperature.  相似文献   
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