VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

老旧建筑结构改造加固

从老旧建筑结构现状展开论述，详细阐述了砌体墙加固设计、构造柱与圈梁加固设计、基础结构加固设计这几种老旧建筑结构改造加固设计，实现了对建筑结构改造工程施工技术的深入分析，希望能够为城乡建设事业的发展提供助力。     

合成丁苯嵌段共聚物的影响因素

采用负离子溶液聚合方法制备了丁苯嵌段共聚物，研究了引发剂、活化剂、偶合剂、终止剂对聚合产物性能的影响。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

浅谈加强试验室管理的重要性

从人员、设备、环境管理及制度健全等方面，论述加强试验室管理对提高建筑工程质量监控水平的重要性。     

低温送风空调系统送风口特性的研究

本文将常规的双层百叶风口应用到低温送风空调系统中 ,利用相似理论导出室内送风气流应遵循的准则方程。由此准则方程及实验数据回归出低温送风空调系统的空气射流核心速度衰减公式 ,总结出主流区的速度分布公式。发现如果选择合适的送风速度 ,双层百叶风口在低温送风状态下能产生令人满意的效果     

美国对其核导弹数据再次采取保密措施

【法新社华盛顿2006年8月21日电】《华盛顿邮报》在8月21日的报道中称,美国布什政府开始对与美国冷战期间的战略核武器数量的有关情报重新制定密级,尽管这些情报曾经提供给前苏联。《华盛顿邮报》援引用美国国家安全档案(NSA)的一份新的报告称,五角大楼和能源部(DOE)正在对“民兵”、“泰坦-II”以及其他导弹的有关数据再次进行保密处理,隐去之前曾出现在公开文件中的有关数据。《华盛顿邮报》称,该报告完全是由于布什政府对政府保密的喜好,这使情报研究人员们陷入麻烦,同时产生了是否有必要对一些看起来无关紧要的数据保密的争论。五角…