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用低压-金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)方法生长了ZnCdSeZnSe和ZnTeSeZnSe多量子阱(MQWs)。在生长室压力38tor(5×103Pa),衬底面积19×20mm2的GaAs衬底上,生长100周期的ZnCdSeZnSeMQWs,经扫描电镜测量,生长不均匀性仅小于10%。随生长压强增大,生长不均匀性也增大。在相同条件下生长10周期的ZnCdSeZnSe和ZnTeSeZnSeMQWS,在X射线衍射谱上分别可观测到0,1级和0,1,2级卫星峰,随生长周期增加,其特性越明显。在生长50周期的ZnTeSeZnSeMQWSs中可观测到0,1,2,3级卫星峰。在77K,脉冲N2激光器激发的ZnTeSEZnSeMQWs中观测到了起因于激子的受激发射。 相似文献
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