新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.     

清洗后硅片表面的电子结构

介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准 RCA清洗技术     

水文比拟法在风河流域来水量分析中的应用

本文选取黄岛区风河入海口河段水域为研究对象,采用水文比拟法,进行河道蓄水能力调算以及降水分析。结果表明:该地区的降雨和河道蓄水能力能够满足风河流域训练场地对于用水量的需求。     

莱西市洙河公园改造工程防洪评价

根据实测暴雨资料,通过瞬时单位线法推求设计洪水,计算洙河莱西段胶州路桥断面的设计洪峰流量,根据计算结果推求洙河公园改造工程中4处景观位置处的设计水位,并对拟建景观进行水力计算和防洪复核,按照分析计算结果,对工程进行防洪分析。     

新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.     

氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收.     

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是RCA清洗技术.文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术.并利用X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面.测试结果表明,它们的去污效果基本相当.但对硅片表面的粗糙化影响方面,新型半导体清洗技术优于标准RCA清洗技术.     

莱西市用水总量监测工作的实践与探索

一、政策依据2011年,中央一号文件明确提出“实行最严格的水资源管理制度”,确立水资源开发利用控制、用水效率控制、水功能区限制纳污“三条红线”,着力解决当前水资源过度开发、用水浪费、水污染严重三大突出问题。根据一号文件要求,山东省政府、省水利厅、省水文局发布《山东省用水总量控制管理办法》（山东省人民政府令第227号）、《山东省区域年度用水总量监测暂行办法》（鲁水政字[2010]15号）、《关于全面启动全省区域用水总量监测工作的通知》（鲁水文字[2010]121号）等文件,全面部署用水总量监测工作,莱西市水文局根据青岛市水文局要求,提高认识,统一思想,精心组织,密切协作,全力搞好各项监测工作。     

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 .