高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。     

医药技术的维新时代

按照惯例，医药设备生产企业总能给纽伦堡TechnoPharm展会的检测技术展厅中带来非常活跃的气氛。在本年度的展会期间，德国的医药产品生产企业同样也期待着这种繁荣活跃的气氛。医药产品设备生产制造商和仪器仪表生产商将在展会期间展示灵活方便的集成式产品。[编者按]     

纪念声表面波器件的奠基人——英国物理学家瑞利发现瑞利波100周年声表面波器件的最新进展(二)

四、带通滤波器由本文第二部分可知,SAW带通滤波器设计的主要问题是推导合适的脉冲函数h(t),h(t)通过傅里叶变换与滤波器频率响应H(f)联系起来.通常,h(t)为无限值,所以必须对它截断,带通滤波器的实现.有限脉冲响应函数(其傅里叶变换给所需的“理想”频率响应以最佳近似值)的推导过程曾经是七十年代的主要研究课题.根据研究,几种非常有用的计算机辅助设计程序在目前已普遍采     

石油科技研究的未来发展方向

最近20年来，由于油价波动引发的公司重组、兼并和裁员，使得许多研究机构关闭，油公司对科研项目的支持也有所降低．长期研究项目的减少造成创新思维的不足，很多研究工作仅仪为了满足降低成本的需要而进行技术改进。在新的形     

用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。     

用x-t域预测反褶积法压制长周期多次波

用常规反褶积压制周期长于100毫秒的多次波时,有两种系统误差。一种误差是时窗效应,它是由根据数据的有限部分计算实际自相关函数而引起的。另一种误差是周期性假设所引起的,这种假设只有在一维介质、零偏条件下才能成立。误差的幅度随多次波周期长度的增加而增加。本文描述并证实了一种能克服常规一维法中两种系统误差的预测反褶积方程的精确二维解。该法可用于简单波场系统或捕波系统以及复杂或微屈多次波中。该方法并不要求将时窗设计成算子大小的6～10倍,在较大的传播角内均很精确。从经典预测意义上看,该法所用的公式是严密的。     

东亚和东南亚发展中国家乳品消费,生产和贸易趋势

概括地叙述了东亚和东南亚国家乳制品消费、生产和贸易的发展情况。作者认为经济的发展，与世界其它地区饮食习惯同化两者共同刺激了本地生产和进口，从而使这些国家的乳和 消费出现了增长。     

展成共轭齿形的计算机近似算法

本文提出一种方法,用来综合与任选齿形相共轭的轮齿几何形状。采用立方样条函数对定义任选齿形的数据进行插值。这种方程式对于编制程序组或人机对话型式的程序都比较简单。文中给出了人机对话图形显示程序的计算结果来说明这个过程。     

改进相干激光器阵列的热沉设计

一种有顶层(其横向尺寸与激光器阵列宽度相配)的热沉将明显改善激光器阵列的温度均匀性,便于器件锁相工作。     

用于军事和工业系统的声表面波器件

自从制成了叉指换能器以来,声表面波器件获得了很大的进展.目前,这种器件已经广泛地用于完成复杂系统的信号处理功能方面.