同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

高密度等离子体刻蚀系统中诊断模型的初步分析

高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.     

杨房沟拱坝电梯井结构配筋研究

笔者根据拱坝整体模型计算分析结果,得到电梯井子模型与大坝整体模型接触面上的节点位移,将接触面上的节点位移作为约束条件加在电梯井子模型上,加上其他荷载共同计算电梯井子模型应力.根据电梯机房、电梯井、电梯缓冲坑在静力工况下的第一、第三主应力分布情况,采用应力图形法计算得到承载能力极限状态下电梯井周边混凝土单位厚度最大配筋量...     

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。     

唐检测器的驻留时间及检测性能分析

GPS接收机系统中的搜索检测器对信号的快速可靠捕获有着十分重要的影响。唐检测器计算量适中,在低信噪比下性能优越,受到了广泛关注。本文首先推导了唐检测器平均驻留时间的一般公式,结果显示平均驻留时间与下行计数器值成正比。其次,本文分析和仿真了唐检测器在不同上/下行计数器值下的检测性能,结果表明检测概率随上/下行计数器值的增大而增大。通过适当的设置,在虚警概率为10^-6、信噪比为4 dB的条件下,检测概率可达90%。     

版图图形特征对铜电镀工艺的影响

铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。     

一种应用于GNSS接收机常数环路带宽的小数频率合成器

提出了一种应用于手持式民用GNSS接收机常数环路带宽的小数频率合成器,并在0.13μm 1P6M 的CMOS工艺中实现。通过离散的工作区域,LC-VCO用简单的结构获得宽的调节范围和小的压控灵敏度。提出的杂散抑制技术来最小化由于鉴频鉴相器和电荷泵引入的相位偏移。当PLL输出频率改变或温度变化时,通过自动环路校正模块自适应调整电荷泵电流保持优化的环路带宽不变。测试结果显示,该频率合成器带内相位噪声小于-93dBc（10 kHz 频率偏移处）,杂散小于-70 dBc, 环路带宽变化小于?3%;在1V的电源供电下,整个合成器（不包括本振测试buffer）消耗4.5mA电流,面积为0.5mm2。     

H.264/AVC中并行通用变换结构设计

提出了一种用于H.264/AVC编解码器的通用并行变换结构,并利用Verilog语言进行了电路设计.该并行结构主要包含4个移位器和16个累加器,可以完成H.264/AVC中的全部4×4变换,包括4×4哈达马变换和4×4离散余弦变换和反变换,能够达到每个时钟周期处理一个像素点的速度.使用SMIC 0.18 μm工艺对该并行结构进行了综合,电路面积为3757门,工作在100 MHz时钟频率下的关键路径为10.3 ms.     

基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列

选用Au和LPCVD的低应力SiNx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人体的热像.实验证明间隔镀金热隔离结构的引入有效抑制了热传导对变形梁温升的限制,从而大大降低了系统的噪声等效温度差(NETD),NETD达到约200mK.     

频率范围2.95-3.65GHz采用调谐曲线补偿的CMOS LC-VCO

本文提出了利用一种新型的谐振回路对调谐曲线进行补偿,频率范围为2.95~3.65GHz的CMOS LC-VCO. 该VCO采用AMOS可变电容,能实现其Q值和调谐范围的同时优化,通过线性化调谐曲线,减少了AM-PM噪声的转换。电路通过 0.18μm 1P6M CMOS工艺验证,面积仅为0.24mm2,整个VCO含输出缓冲在内的功耗为5.04mW,相位噪声在100KHz偏移处是-91dBc/Hz。