博野县水利普查工作总结

国务院开展第一次全国水利普查工作已圆满完成。作为最基层水利普查办公室博野县水利普查办公室（以下简称县水普办）．经过3年来的紧张工作,圆满准确完成了各项收集、录人工作。此次水利普查涉及博野县水利工程、社会经济用水、河湖开发治理、灌区专项、行业能力、地下取水井等6个专业,23个小项的普查及36.36余万条数据收集工作。发放各类普查表格7249张,     

国内管线钢标准应用现状分析

简要介绍了国内管线钢的组织分类及其特性要求,并对国内管线钢目前应用标准情况进行了分析研究。     

基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究

绝缘体上硅（SOI）技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度（tSi）的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用015 μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si) 总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225 ℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。     

铅芯隔震橡胶支座铅芯饱满度对支座力学性能的影响

研究了铅芯隔震橡胶支座铅芯饱满度和竖向压力对其滞回曲线及水平剪切性能的影响.结果表明,随着铅芯饱满度的增大,橡胶支座屈服力和等效阻尼比增大,屈服后刚度减小,等效水平刚度先减小后增大;随着竖向压力的增大,橡胶支座屈服力和等效阻尼比均增大,屈服后刚度和等效水平刚度均减小,橡胶支座滞回曲线逐渐饱满;增大竖向压力对饱满橡胶支座...     

SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究

文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。     

用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究

基于ONO（Oxide-Nitride-Oxide）和MTM（Metal-to—Metal）反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的Ron=Vf/Ip的关系基本一致。     

智能化变电站运行分析研究

介绍云会智能化变电站的特点,总结变电站建设过程中遇到的问题并提出相应对策,为智能化变电站建设、运维提供参考.     

SQL离前端有多远？

出差外地,错过了4月初的两个比较重要的开发者会议,QCon和Adobe开发者技术日。笔者最想了解一下以Flex为代表的RIA应用体系以及对企业应用开发所带来的影响。但时至今日,网上有关这两个会议的一些PPT尚无多少可show的,这充分的展示了主办方"售后服务价值及意识"的缺失,事实上,企业应用开发领域,售后服务也很重要。     

高光泽高玻璃纤维含量增强增韧PA6复合材料的开发

研究了不同螺杆组合和增韧剂种类、用量对玻璃纤维(GF)增强尼龙(PA)6复合材料性能的影响.结果表明,当使用复配增韧剂体系、控制材料中GF长度为0.3～0.6 mm和使用塑化、剪切适当的螺杆组合时,可制得GF质量分数为50%、拉伸强度为205 MPa、缺口冲击强度为26 kJ/m2、低温(-30℃)缺口冲击强度为22 kJ/m2、注射成型制品表面无浮纤、光泽度高的PA6复合材料.     

外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V（H2SO4）:V（H2O2）:V（H2O）=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。