朝阳市地下水资源及其开发利用

阐述朝阳地区地下水资源概况,分析存在的问题,探讨今后朝阳地区地下水资源开发利用方向.     

硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响

SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素.     

0.1μｍ槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μｍ槽栅结构CMOS器件，验证了理论结果的正确性，表明这是一种优良的小尺寸器件结构．该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点，并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法．     

0.5μm高速BiCMOS的工艺研究

报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺.工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区.通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件.     

0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.     

工业化大生产发酵生产过程计算机控制技术

到目前为止,计算机自动控制技术在医药行业应用最成功、取得经济效益最明显的工段当属发酵过程,基本上实现了检测参数、控制参数、检测、控制精度参数的检测和控制.     

随钻测、录井结合指导水平井钻井方法及应用

为了解决水平井地层的岩性识别、及时准确着陆以及判断油层顶底等问题,根据垂直井中常规测井与水平井随钻测井所反映地层信息的差异性,分析了随钻测井曲线在不同厚度、不同岩性地层的响应特征,并通过与岩屑录井、荧光录井及气测录井等技术进行综合对比,分析归纳了指导水平井钻井的岩性及油层边界的识别方法。通过对大庆外围宋芳屯油田葡萄花油层的水平钻井应用,证实该方法起到了综合指导作用,并且能够及时准确掌握并调整井眼轨迹,提高了钻达目的层的精准度。     

工业化发酵过程的自动控制

本文从工程实践的角度分析了工业化发酵生产过程的控制机理，以及采用计算机对工业化大生产的发酵过程进行参数控制的实用技术。[编者按]     

大庆油田中浅层取芯层位卡取方法及应用

取芯层位能否卡准是取芯是否成功的关键,根据大庆油田中浅层5个常见的取芯层位的地质特征,总结了萨尔图、葡萄花、高台子及扶余油层选取标志层的方法,并以此为基础建立了直井、斜井、水平井以及跨断层或者地层厚度变化较大等特殊地质情况的层位卡取的方法,2017年到目前为止中浅层取芯共40口,取芯层位卡准率达到了100%。     

葡北油田产量递减规律及极限储采比的确定

研究葡北油田的产量递减规律证实,油田稳产期结束后,产量将以双曲线规律递减。在此基础上推导出了计算油田储采比的理论公式,并对油田合理储采比进行了论证。葡北油田极限储采比为16.93,储采比低于极限储采比以后,油田稳产期结束,进入产量递减阶段。