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一,视频压缩技术背景及主要压缩技术发展
视频处理技术是伴随着视频从模拟到数字化转变的过程中得到蓬勃发展的.…… 相似文献
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17寸LCD显示控制器--晶门SSD2900 总被引:2,自引:0,他引:2
随着液晶显示技术的不断成熟和成本的降低,LCD已经在逐步替代普通CRT在我们日常生活中扮演的角色。从手机、PMP、手持式媒体设备,到大屏幕的电脑显示器、液晶电视等,涉及范围之广可以说遍及到生活中的任何一个角落。在电子产业相对发达的日本,液晶电视的销量已经超过了普通CRT电视。相关产业的电子企业也纷纷瞄准了这块市场,争取占领更多的市场份额。这其中从技术角度上亚洲的日本、韩国、中国台湾,香港尤为领先,而其中日本又将其研发的重心放在了下一代显示技术上,技术已经远远高于目前液晶显示技术。故而日本TFT-LCD正在逐步走下… 相似文献
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现代体育场馆火灾报警系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过对某体育馆的火灾报警系统设计的介绍,剖析了体育场馆类建筑的大空间极早期烟雾报警探测系统及普通火灾报警系统设计中遇到的难点. 相似文献
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本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade... 相似文献
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室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.实验结果表明,薄膜厚度为47 nm时,薄... 相似文献
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本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表... 相似文献
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