一种高增益的宽带低噪声放大器的设计

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0～4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。     

VXIbus四通道计数器模块仪器设计与分析

文中以ＶＸＩｂｕｓＣ尺寸四通道通用计数器模块的硬件和软件的设计为例，介绍了ＶＸＩｂｕｓ模块仪器的设计方法。并对一些相关技术进行了分析。     

FIFO技术在VXIbus接口中的应用

介绍了ＶＸＩｂｕｓ接口技术在众多方案中一种特殊的结构，即ＦＩＦＯ（ｆｉｒｓｔ－ｉｎ／ｆｉｒｓｔ－ｏｕｔ）寄生器队列。这种技术已多次应用于ＶＸＩｂｕｓ模块仪器的接口设计中并获得成功，本对于从事ＶＸＩｂｕｓ自动测试技术的科研工作及ＶＸＩｂｕｓ模块仪器国产化，实用化有参考价值。     

基于CORDIC算法的微小卫星发射机设计与实现

CORDIC算法具有频率精度高、转换时间短、频谱纯度高一级频率相位移编程的特点,在数字通信领域得到了越来越广泛的应用,它可以处理信号,实现制导控制,能够有效兼顾速度、精度以及资源。CORDIC算法在微小卫星发射机设计中得到了非常好的应用,为实现微小卫星发射机在无线电领域的重要作用奠定了坚实的基础。本文主要从CORDIC算法出发,讨论微小卫星发射机设计与实现。     

应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺，设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下，通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构，实现电路版图面积的最小化，从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压，且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别，该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器，有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出，芯片总面积仅为0.14 mm²,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。     

微波光子技术的研究进展

微波光子技术是融合微波技术和光子技术的一门新兴前沿技术,它集成了无线通信的灵活性和光通信的大容量特性、低损耗和抗电磁干扰等特性而迅速成为研究热点.介绍了微波光子系统的基本构想和几种关键技术,回顾和展望微波光子技术的应用以及未来的研究动向.     

几种MXIbus接口电路的设计

介绍了ＰＣ－ＭＸＩ－２控制信号转换电路，地址修改码电路，优先选择菊花链与收发门控制信号电路和系统仲裁器 设计，设计中采用了存储器映像技术，提高了数据的传输速率。     

基于方形腔耦合金属波导结构的全光等离子体开关

提出了一种新型的方形腔耦合金属波导结构,该结构由两个相互平行的矩形金属波导和一个内嵌可连通的方形谐振腔构成。利用方形谐振腔局域表面等离子体实现带阻滤波特性,并通过多路复用实现双端口全光等离子体开关。采用时域有限差分方法(FDTD)研究了方形腔的边长、折射率和谐振距离对强透射特性的影响。结果表明,基于方形腔耦合金属波导结构的光开关在工作中具有较好的阻带特性和透射特性,其最大透射率可达92%,最小阻带透射率达0.2%,工作波长范围为607~785nm。     

钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10¹⁰ cm^-2·eV^-1。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10¹² cm^-2·V^-1降低至5.9×10¹¹ cm^-2·V^-1,同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。