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1.
超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料. 相似文献
2.
3.
4.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 相似文献
5.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
6.
7.
漆,是我们的先民早于世界发现并使用的涂料,漆器是由简单髹涂技法逐渐发展为使用多种材质表现文化艺术价值的多种髹漆技艺的集中展现。螺钿髹漆技法源自夏商,盛于西周,兴于唐宋,成于元明清,历代能工巧匠经过千年的传承,形成了具有代表性的非物质文化遗产,稷山螺钿漆器髹饰技艺就是其中之一。观古人器物的精和美,无非材质不变、工序不变,匠人的不计时日、持之以恒,把我们优秀的传统文化通过技艺、图案、器型等文化符号展现给后人,延续至今。为此,应该把传统工艺作为我们艺术创作的基础,传统文化作为我们艺术创作的主线,传统作品作为我们艺术创作的继承和展示。 相似文献
8.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放. 相似文献
9.
面临高等教育事业的飞速发展,高校教师群体的健康状况令人堪忧而倍受人们关注。为探寻提升高校教师的健康意识和健康状况的有效方法,基于某高校近六年的体检数据,分析高校教师群体的健康状况并确定引起健康异常的主要因素。结果表明,体检结果完全正常的人数比例偏低,具有高血压、心脏病等慢性病的人数比例偏高,且有逐年增加的趋势。基于高校社区卫生服务管理,有针对性地提出社区卫生服务对高校教师健康进行有效干预的对策,从而为促进高校教师的健康状况提供参考。 相似文献
10.