聚乙烯化学染色及其结晶形态TEM研究

自Konig发表了结晶聚乙烯染色方法以来,以TEM为手段研究结晶聚乙烯的微观结构形态的工作有了突飞进展,为建立块状聚乙烯片晶堆积(聚集态)模型提供了有力的直观依据。在konig工作的启发下,近年来又相继成功地找到了适于聚酯类高巨物,共巨、共混及接技高巨物的染色方法,进而扩大了以TEM为手段,深入研究高巨物形态结构的路子。     

圆形渡槽水力设计新公式及其应用

研究圆形渡槽水力设计新公式的构造问题,提出圆形渡槽纵、横剖面布置设计计算的水力设计新公式,介绍其在工程设计实践中的具体应用实例.根据渡槽槽底纵坡通用方程,推导给出圆形渡槽水力设计新公式,运用其进行工程设计,无需繁复试算,计算快捷,成果精确,实现了纵坡i一次计算成功     

结晶高聚物PET和PBT电子显微镜分析

本文介绍一种用于提高结晶高聚物PET和PBT电子显微图象衬度的丙烯胺——四氧化锇染色方法。通过列举的照片,可以直接观察到结晶PET和PBT的两相结构——晶区和无定形区。由照片可直接量测结晶PET的长周期(L)晶区厚度(dc)及无定形区厚度(da),找出这些物理参量与PET结晶温度之间的关系,与x-射线小角散射测量结果基本一致。     

聚酞菁硅(锗)氧烷高聚物中晶畴结构和新相的分子像

一、引言高分辨电子显微术的发展使我们有可能以接近原子尺度的分辨率来研究物质结构。过去,我们只能通过间接手段推测结晶物质晶胞中原子位置。而现在,我们竟能直接“看见”原子或原子集团。并且,可以确     

聚碳酸酯及聚丙烯扭转断口银纹SEM考察

本文根据圆形等截面直杆扭转弹塑性应力分析理论,采用扭转断裂方法,制备用于扫描电镜观察的聚碳酸酯和聚丙烯试样。通过大量观察聚碳酸酯和聚丙烯的扭转断口形态,详细讨论了聚碳酸酯的银纹质从形成微薄膜到微薄膜破裂成微纤维的过程。为进一步研究聚碳酸酯等高分子材料的断裂机理提供了直观依据。     

聚酞菁锗氧烷的晶格条纹及其晶格缺陷的电子显微像

聚酞菁锗氧烷是一种刚性链聚合物。其主链呈直线状,由锗与氧二种原子以共价键交替结合而成。而其中的每一个锗原子又分别位于和主链垂直相交的酞菁环的中心。所以整个分子是锗氧链轴从中心贯穿一组相互平行的酞菁环平面。它的晶体属于简单四方晶系,具有板条状的结晶习性。板条的大平面是ac平面,c的方向正好是分     

聚碳酸酯和聚丙烯断口瞬时断裂区的阻抗形态

近几年来对材料断裂问题的研究,趋向于将宏观力学性能与微观组织结构结合起来进行。应用扫描电子显微镜进行断口分析是使两者结合起来进行研究的有效手段。在高分子材料的断口上,一般可划分为起裂区、裂纹扩展区和瞬时断裂区三个区域。本文着重论述了聚碳酸酯和聚丙烯材料在瞬时断裂区上的材料抵抗破断的阻抗形态。     

高质量SEM象获得及象缺陷处理(综述)

高质量扫描图象的特征是分辨能力高、象质好(衬度适中、象面平滑)、焦深大(图象边缘及深度方向清晰)。为了获得高质量SEM图象除对仪器工作条件(加速电压、入射电子束流、二次电子检测和放大、工作距离、象散校正、物镜光阑孔径、试样倾斜、扫描速度和线数、拍照时间等)作精心选择外,还必须充分考究观察试样的性质、形状及其制备方法。实际观察中,由于试样性质和观察目的不同,所选的仪器工作条件不一定是理论上的最佳条件(如电子束斑直径与入射电子束流之间的关系、工作距离与焦深的关系、分辨能力与象质的关系等)。本文列举大量实验事实(附有照片)著重探讨导电试样和非导电试样(无重金属蒸涂膜或有重金属蒸涂膜)     

外延生长聚酞菁硅氧烷晶体的分子像

本文利用高分辨电子显微术(HREM)研究了酞菁硅氧烷单体Si(PC)(OH)_2及其聚合物[Si(PC)O]_n分别升华到氯化钠或溴化钾两种衬底上形成的聚合物薄膜晶体的分子像。红外吸收光谱证明,不能是用单体升华,还是用聚合物升华,得到的都是[si(PC)O]_n聚合物的分子像,且都能观察到两种分子链堆积方式,α型和β型,并以β型为主。表明由四种样品得到的分子像具有共同的特征。图中给出的是用[Si(PC)O]_n聚合物作为蒸发源,在NaCl单晶体(100)晶面上外延生长的晶体薄膜的分子像。图中A处附近分子链以β方式堆积,即以正方形方式堆积。可以看出有较多的晶体缺陷存在。箭头所指之处,在图上是一个点缺     

掺杂与不掺杂〔Ge(Pc)O〕n的HREM象研究

用H-600TEM拍摄到掺杂与不掺杂的电子导电聚合物[Ge(Pc)O]n晶体的晶格条纹象。条纹象显示出在[Ge(Pc)0]n晶体中的缺陷形式有位错偶极、位错群和小角晶界。分子链位何不同的二类晶体具有不同的缺陷密度。[Ge(Pc)O]n用碘掺杂以后,晶面间距发生了变化,出现了条带结构和取何差晶粒间界。